N-mosfet-G极保护电路

手头一个开关电源的产品，在售后过程发现有很小概率MOSFET炸机的情况，查了一些资料记录下一些MOSFET保护的电路
炸机现象就是MOSFET的DS两极导通，导致保险管与采样电阻烧毁

一个产品在修复时，换过MOSFET，驱动IC，保险管与采样电阻一通电，MOSFET又马上炸掉，最后排查发现驱动IC驱动G极串的电阻损坏，使G极悬空，一上电，使DS异常导通，从而引发炸机

查了一些关于保护MOSFET的资料，在此做一些记录，主要是G极保护电路。

N-MOSFET的寄生电容模型

当G极悬空时，DS突加的直流电压，使CGD上面的电压发生变化，感应到G极，使VGS大于导通电压，致使MOSFET异常导通，开关电源的变压器没有高频开关只是直流导致那么MOSFET承受的电流就超过极限电流，导致MOSFET损坏，并使周边的器件损坏。这也解释了为什么驱动G极的电阻损坏导致MOSFET炸机的情况。

G极保护电路

logic out 与G极之前的电阻用于降低反向尖峰

反向二极管用于LOGIC OUT切换时加快放电速度

GS之间并联的电阻，英文资料看得不是很明白，个人理解是给GS一个确定的状态，能屏蔽微小的感应的电压的影响

看了挺多别人设计的开关电源的MOSFET，G极处，都有这个电阻的存在

过压损坏

开关电源中设计，整流后的直流电压，留有余量，如果还不够就需要增加MOSFET的耐压电压
在DS两端加一个高压的TVS，来保护可能到来的意外高压

发热损坏

可以选用选用更小RON的MOSFET来减少MOSFET的发热情况

总结

这里只做收集资料的记录，G极因为没有反向二极管，线路板修改后还需要批量生产后，才能知道是否对电路有所改善

参考资料

How to Protect MOSFETs
MOS管损坏之谜，看完后疑惑终于解开了
https://www.zhihu.com/question/28645204/answer/809764849