摘要：今天正在做的这个项目差不多快完成了，PE那边要PAD坐标，提前为封装做准备。一直用用Cadence Tools中的Layout Turbo提取PAD坐标的，顺便记录一下过程。打开要提取PAD坐标Layout, 一般会将所有PAD单独做在一个CELL内，不过要用Turbo Tools，和PAD相关的Layer都要flatten。如TOP Metal，PAD(opening)，BUMP(COG)，TOP Metal pin四层在Virtuoso Layout Edit界面打点击 Tools选择 Layour Turbo，切换到Turbo Tools工具在菜单中点击Options选择Turbo To 阅读全文

摘要：一.什么是衬偏效应？MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化(不随栅极电压而变化)。而对于MOS-IC而言，在工作时，其中各个MOSFET的衬底电位是时刻变化着的，若对器件衬底的电位不加以控制的话，那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结出现正偏的现象；一旦发生这种现象时，器件和电路的沟道导电作用即告失效。所以，对于IC中的MOSFET，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏 阅读全文

摘要：LOD Effect——Length Of Diffusion Effect [纳米级别的版图在设计的时候需注意二级效应。二级效应(Device Geometry Effect)：WPE(Well Proximity Effect)、LOD、PSE（Poly Space Effect）、OSE（Diffusion Space Effect）]对于相同大小栅极，因其所在扩散区的相对位置及尺寸大小不同而有不同电学效应，这是由于浅槽沟道隔离（Shallow Trench Isolation,STI）有不同的应力效应，所以又称STI应力效应。 0.25以下工艺大多数采用STI隔离技术，STI会产生许多 阅读全文