SCM

SSD存储介质和接口技术一直处于不断向前发展和演进的过程。SSD分为几个阶段，第一个阶段是SATA SSD或者SATA/SAS SSD为主导，这个阶段介质以SLC和eMLC为主。第二个阶段是PCIe SSD，PCIe SSD最大的问题是不标准，很多私有化协议各自为政，基于FTL位置不同主要分为Host based SSD和Device base SSD。

直到NVMe时代才统一了接口和协议标准，NVMe主要的产品形态有三大类。第一类是和SATA/SAS SSD兼容的U.2，第二类是和PCIe兼容的SSD卡，第三类消费级产品常用的M.2，具体请参看“闪存技术最全面解析”文章。

存储介质目前主流还是基于NAND Flash实现。那再往前发展，存储介质应该怎么发展呢？
Intel Optane(傲腾)系列硬盘通过实践证明NVMe和SCM(Storage Class Memory)配对时才会显现更大的存储优势，那时数据存储将会迎来重大飞跃，NVMe的未来属于SCM。它将建立在行业协议标准而不是专有技术之上。

SCM具备Persistent Memory介质和NVM(Non-VolatileMemory)介质特性。更重要的是SCM没有NAND Flash顺序写入和写前擦除的约束，操作过程更简单；SCM介质的在寿命和数据保持能力方面的表现也远超NAND Flash。基于这些特点，业界普遍认为SCM会成为颠覆存储系统设计的新一代介质，并优先应用于性能和可靠性要求较高的场景。

Intel/Micron发布3DX(PRAM)之后，各大厂家都加大了SCM介质的投入，从上图可见，SCM的目前的主要应用都是聚焦于填充SRAM和Storage之间的容量和性能GAP。目前在研的SCM介质种类繁多，但是比较主流的有PCM、ReRAM、MRAM和NRAM四大类产品。