随笔分类 -  ARM体系结构与硬件

ADS下C语言的入口方式和ROM镜像文件的生成(转)
摘要:这部分介绍下ADS下如何生成可以运行的ROM镜像文件,我们知道当程序下载到flash中运行的时候,对于RW、ZI数据就存在着两个环境,一个load环境,一个是exec环境,有时候由于速度的需要RO数据也要重新加载,那么对RO数据也是有两个环境。编译器产生ROM镜像文件时候,这三块数据的存放依次为RO、RW、ZI,并且地址空间时连续的。但是到了运行的时候,RW数据必须被拷贝到SDRAM(SRAM)中... 阅读全文
posted @ 2009-05-31 16:11 陈广强 阅读(780) 评论(0) 推荐(0)
S3C2440时钟详细描述(转)
摘要:S3C2440 CPU默认的工作主频为12MHz或16.9344MHz,这里使用最多的是12M。使用PLL电路可以产生更高的主频供CPU及外围器件使用。 S3C2440有两个PLL:MPLL和UPLL,UPLL专用与USB设备。MPLL用于CPU及其他外围器件。 通过MPLL会产生三个部分的时钟频率:FCLK、HCLK、PLCK。FCLK用于CPU核,HCLK用于AHB总线的设备(比如SDRAM... 阅读全文
posted @ 2009-05-27 11:44 陈广强 阅读(828) 评论(1) 推荐(0)
字节对齐的说明(转)
摘要:所谓字节对齐就是C/C++编译器为了加速CPU寻址速度而采用的一种策略,通常的表现是将结构中某些不足CPU字长的成员填入若干字节的垃圾值使整个结构的大小成为CPU字长的整数倍。 一.什么是字节对齐,为什么要对齐? 现代计算机中内存空... 阅读全文
posted @ 2009-02-05 20:43 陈广强 阅读(239) 评论(0) 推荐(0)
SRAM、DRAM、SDRAM的区别
摘要:DRAM:动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。 而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 SRAM:静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据 不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。 SDRAM:同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟好... 阅读全文
posted @ 2009-02-05 18:55 陈广强 阅读(826) 评论(0) 推荐(0)
Nand Flash结构与读写分析(转)
摘要:NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page. (Nand Flash 有多种结构,我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针... 阅读全文
posted @ 2009-02-02 20:51 陈广强 阅读(593) 评论(0) 推荐(0)