光电二极管PD选型

光电二极管是反向工作的。

光电流：在一定反向电压下，入射光强为某一定值时流过管子的（反向）电流。光电二极管的光电流一般为几十微安，并与入射光强度成正比，该值越大越好。

暗电流：在一定反向电压下，无光照时流过管子的（反向）电流，一般小于0.1~ 02I_LA，该值越小越好。

最高工作电压：指在无光照、反向电流不超过规定值时(通常为0.1VA)，允许的最高反向工作电压，一般在10~50V，使用中不要超过。

响应时间：

截止频率：本征响应带宽 或 能检测到的信号带宽。

光灵敏度（单位：A/W）：光电流（单位：A）与特定波长入射光辐射能通量（辐射功率）（单位：W）的比值。            光辐射能通量（辐射功率）：单位时间内，一定截面上受到的光辐射能量。

光谱响应范围：指光电二极管光谱响应最灵敏的波长范围。一般为光灵敏度高于最大值5%或10%的波长范围。一般为0.88~0.94 y,m。例如，2CUID型光电二极管的最高工作电压为40V，光电流大于80 pdA，暗电流小于0.2斗A，响应波长为0.88 pdm。

上升时间（tr）：定义为信号强度从最终强度的10%上升到90%所用的时间。

截止频率：当光电二极管接收到激光二极管等发射的正弦调制光波时，截止频率fc定义为光电二极管的输出（电流或电压）相比于100%输出下降3 dB时的频率。截止频率（fc）与上升时间（tr）的换算公式为：tr（s）=0.35 / fc（Hz）。

结电容（Cj）：由于耗尽层的存在，PD的PN结中会形成一个等效电容。

终端电容（Ct）：是在没有光信号时的PD总电容，包含了结电容（Cj）和封装时所产生的寄生电容（package stray capacitance），是一个更加实用的数据。一般说来，终端电容（Ct）越大，响应速度越慢——通俗地理解，电容大了，充放电时间变长，最终影响PD输出信号的时效性。

响应速度：通常由上升时间（Rise time，tr）和截止频率（Cutoff frequency, fc）进行描述。

 

类型                         特征响应范围                      光灵敏度                          暗电流                  结电容              尺寸                           封装                     照片

 

 

PN光电二极管：

PIN光电二极管：10Ghz频带宽，线性输出范围宽

APD雪崩光电二极管：高内增益，几百；宽 带宽100Ghz；响应速度最快，噪声大。