高速度低功耗8位MCU芯片——SIC8P370D2L PLP16

　　概述

　　SIC8P370D2L是一个基于CMOS技术的高速度低功耗的8位MCU，其核心是一个嵌入式的8位CPU，内置2K×16 bit OTP ROM，并提供保护位用以保护指令码它是一个功能强大的微控制电路。作为一个通用MCU，主要应用于移动电源、高端智能充电器、电动车主控板等。

　　其特点如下：

　　●2k×16-bit OTP ROM

　　●80×8-bit SRAM

　　●8级堆栈空间

　　●可编程WDT预分频器

　　●可编程WDT时间（4.5ms、18ms），可控制WDT自由运行时间

　　●带信号源选择、触发沿选择、溢出中断及预分频器的8位实时时钟/计数器（TCC）

　　●工作电压范围：2.1V~5.5V（-0℃~70℃）；2.3V~5.5V（-40℃~85℃）

　　●工作频率范围（2分频）：

　　●晶振模式：DC~16MHz，4.5V；DC~8MHz，3V；DC~4MHz，2.1V

　　●ERC模式：DC~2MHz，2.1V

　　●IRC模式：16MHz、4MHz、1MHz、8MHz

　　●系统高低频率的变化点是400kHz

　　●低功耗：

　　●小于1.5mA（4MHz/5V）

　　●典型15μA（32kHz/3V）

　　●典型2μA（睡眠模式，WDT关闭，LVD关闭）

　　●内置RC振荡电路：16MHz、1MHz、4MHz、8MHz

　　●低压复位：4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V 25℃

　　●低压检测：4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V 25℃

　　●中断源：

　　●TCC溢出中断（IDLE模式唤醒）

　　●外部中断（SLEEP/IDLE模式唤醒）

　　●比较器输出状态改变中断（SLEEP/IDLE模式唤醒）

　　●ADC转换完成中断（SLEEP/IDLE模式唤醒）

　　●PWM1~3周期中断（IDLE模式唤醒）

　　●PWM1~3占空比中断（IDLE模式唤醒）

　　●P0端口输入状态改变中断（SLEEP/IDLE模式唤醒）

　　●LVD中断（SLEEP/IDLE模式唤醒）

　　●双向I/O口：

　　●13个可编程控制上拉引脚（P0.0~P0.5，P1.0~P1.1，P1.4~P1.7，P2.0）

　　●12个可编程控制开漏引脚（P0.0~P0.5，P1.0~P1.1，P1.4~P1.7）

　　●13个可编程控制下拉引脚（P0.0~P0.5，P1.0~P1.1，P1.4~P1.7，P2.0）

　　●10位可编程控制高驱动引脚（P1.0~P1.1，P1.4~P1.7，P0.1~P0.4）

　　●指令周期长度选择：2/4/8/16个振荡时钟

　　●封装形式：PLP16