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摘要： 在 C 语言中，以 # 开头的语句被称为预处理指令（Preprocessing Directive），它们由 C 语言的预处理程序（Preprocessor）在编译阶段之前进行处理，用于对源代码进行文本替换、条件编译、文件包含等操作，不直接参与程序的执行逻辑，但会影响最终编译的代码内容。 常见的预处 阅读全文

摘要： PD充电协议全攻略从手机到笔记本，一根TypeC线即可实现全设备快充，核心在于PD充电协议。以下为关键内容梳理：🔋 协议本质PD（USB Power Delivery）是USBIF制定的通用快充标准，作为设备间"充电翻译官"，通过TypeC接口实现充电器与设备的智能协商，自动匹配最佳充放电方案。苹 阅读全文

摘要： 接口通信格式 WS2812/WS2812B LED 使用 24 bit 数据调节 RGB 色彩, 每个 bit 都是通过(一个高电平 + 一个低电平)表示的. 根据手册 • 0 表示为一个短的(0.35 µs)高电平加一个长的(0.90 µs)低电平 • 1 表示为一个长的(0.90 µs)高电平加 阅读全文

摘要： Intel 8080接口与Motorola 6800接口定义与区别 Intel 8080接口控制脚定义如下表 其中读操作控制（RD），写操作控制（WR）可通过相应的高，低电平控制当前是读操作使能还是写操作使能 Motorola 6800接口控制脚定义如下表 其中读/写操作（R/W）为1条线，而通过使 阅读全文

摘要： 一、认识米勒电容如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。 其中： 输入电容Ciss=Cgs+Cgd， 输出电容Coss=Cgd+Cds， 反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。 然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系， 阅读全文

摘要： 不同的mos管特点不一样，简单描述如下： 平面mos： 优点：EAS雪崩等参数比较大，很耐电流冲击。缺点是：结电容等非常大，开关损耗非常大。驱动电流比较大，不好驱动。 SGT工艺mos： 优点：Qg、Ciss等参数很小，开关损耗非常小，适合高频开关，特别是电流上来之后。驱动电压低，驱动电流小，非常好 阅读全文

摘要： https://www.elecfans.com/d/1309261.html 近期有同学询问，在制作无线充电接收线圈时，需要应用到哪些知识，注意到哪些问题？下面就线圈电感计算、导线选择以及整流方式等内容给大家做些介绍。 电感量的计算 接收线圈串联谐振电容可以有效提高接收电路输出功率。如果电容与接收 阅读全文

摘要： https://baijiahao.baidu.com/s?id=1809048563048631142&wfr=spider&for=pc 工信部放宽无线充电设备频率和功率限制，安卓厂商或加大无线充电功率，苹果则因Qi2.0标准频率与航空无线电导航业务冲突而调整。无线充电技术发展迅速，但仍需解决充 阅读全文

摘要： 图解功率MOS管的每一个参数！ 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学 阅读全文

摘要： 天线驻波比（VSWR）‌，全称为电压驻波比，是衡量天线系统匹配程度的重要参数。它定义为驻波波腹处的电压幅值与波谷处的电压幅值之比。理想情况下，当馈线和天线的阻抗完全匹配时，驻波比为1，表示高频能量全部被天线辐射出去，没有能量的反射损耗。‌ 一、定义和计算方法 驻波比（VSWR）是传输线波腹电压与波谷 阅读全文