2025年2月21日
功率MOS管的参数说明
摘要： 图解功率MOS管的每一个参数！ 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学 阅读全文
posted @ 2025-02-21 14:52 Sean_hn 阅读(338) 评论(0) 推荐(0)
MOS管耗散功率的计算
摘要： MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=（Tcmax-Tc）/Rth（ch-c） MOS的功耗是指MOS在电 阅读全文
posted @ 2025-02-21 14:51 Sean_hn 阅读(1523) 评论(0) 推荐(0)