电子技术自学指南Harry KyBett--第二章 晶体管概述

1.电路中常见的晶体管:BJT(Bipolar Junction Transistor,双极性晶体管)

                              JFET(Junction Field Effect Transistor,结型场效应管)

                              MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor,金属氧化硅场效应管)

1.1晶体管可抽象为两个二极管为背靠背连接(NPN型) 或者头碰头连接（PNP型）,根据材料不同，基极和射极之间的电压降0.7V,0.3V或1.2V。

1.2.晶体管的属性之一:集电极电流与基极电流之比为常数。集电极电流远大于基极电流,这个比值为被称为晶体管的电流增益,用符号ß表示。

1.3.基极电流足够大，以至于在给定的集电极电阻和供电电压下,集电极电压为0V,并且集电极电流达到最大值。这种状态称为饱和(saturation),这时晶体管可以看作是闭合的机械开关。

2.结型场效应管(JFET)

和晶体管相比,JFET的输入阻抗比较大.三个端口分别叫做源极,漏极和门极。它的功能分别类似于发射极,集电极和基极。其中N沟道JFET相当于NPN晶体管,P沟道相当于PNP晶体管。

为了使N沟道JFET工作,要在漏极施加一个相对于源极的正电压。这样才能使电流流过沟道。如果门极电压为0,那么JFET处于导通状态,并且漏极电流达到安全工作时允许的最大值.当门极为负

值时,漏极电流会减小,直至JFET达到关断，此时漏极电流为0.

和晶体管比较JFET是"常通"性器件,而BJT则是"常断"性器件