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2023年6月17日
ASEMI代理光宝高速光耦LTV-6341特征,LTV-6341应用
摘要: 编辑-Z LTV-6341参数描述: 型号:LTV-6341 储存温度Tstg:-55~ +150℃ 工作温度Topr:-40~ +125℃ 总输出电源电压(VCC –VEE):35V 平均正向输入电流IF:25mA 反向输入电压VR:5V 输入电流(上升/下降时间):500ns 功耗PI:45mW
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posted @ 2023-06-17 15:44 强元芯
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2023年6月16日
ASEMI代理光宝光耦LTV-5314资料,LTV-5314规格书
摘要: 编辑-Z 在电子设备的设计和制造过程中,光耦合器是一种至关重要的组件。它们在电路中起到隔离作用,防止电流反向流动,从而保护设备免受损坏。其中,光耦LTV-5314是一种广受欢迎的光耦合器,以其卓越的性能和可靠的稳定性赢得了工程师们的青睐。本文将深入探讨光耦LTV-5314的特性、应用以及其带来的优势
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posted @ 2023-06-16 16:49 强元芯
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ASEMI代理光宝高速光耦LTV-5341参数,LTV-5341应用
摘要: 编辑-Z LTV-5341参数描述: 型号:LTV-5341 储存温度Tstg:-55~+125℃ 工作温度Topr:-40~+110℃ 总输出电源电压(VCC –VEE):35V 平均正向输入电流IF:20mA 峰值瞬态输入电流IF(TRAN):1A 输入功率耗散PI:40mW 输出IC功耗PO:
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posted @ 2023-06-16 16:48 强元芯
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2023年6月15日
ASEMI代理光宝光耦LTV-0314的应用与优势
摘要: 编辑-Z 在电子设备的设计和制造过程中,光耦合器是一种至关重要的组件。它们在电路中起到隔离作用,保护电子设备免受电压冲击和电流过载的影响。今天,我们将深入探讨一种特殊的光耦合器——LTV-0314,它的特性、应用以及优势。 一、LTV-0314的特性 LTV-0314是一种高性能的光耦合器,它具有以
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posted @ 2023-06-15 16:41 强元芯
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深入理解ASEMI代理光宝LTV-152光耦的特性与应用
摘要: 编辑-Z 光耦LTV-152是一种广泛应用于电子设备中的光电器件,它的主要功能是实现电路之间的隔离和信号传输。本文将深入探讨光耦LTV-152的特性和应用,帮助读者更好地理解和使用这种重要的电子元件。 一、光耦LTV-152的特性 1. 高隔离电压:光耦LTV-152具有高达5000Vrms的隔离电
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posted @ 2023-06-15 16:40 强元芯
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2023年6月14日
ASEMI代理光宝IGBT驱动器LTV-155E规格,LTV-155E封装
摘要: 编辑-Z LTV-155E参数描述: 型号:LTV-155E 储存温度Tstg:-55~+125℃ 工作温度Topr:-40~+105℃ 输出IC结温度TJ:125℃ 总输出电源电压(VCC –VEE):35V 平均正向输入电流IF:25mA 反向输入电压VR:5V 峰值瞬态输入电流IF(TRAN)
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posted @ 2023-06-14 16:26 强元芯
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ASEMI代理台湾光宝LTV-3120光耦合器中文资料
摘要: 编辑-Z LTV-3120是一种高性能光耦,由于其可靠性、效率和多功能性,在各种应用中都很受欢迎。本文将全面了解LTV-3120其功能、应用以及它如何改进您的电子设计。 什么是光电耦合器? 光耦,也称为光隔离器,是一种利用光在两个隔离电路之间传输电信号的电子元件。它由一个LED(发光二极管)和一个光
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posted @ 2023-06-14 16:26 强元芯
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2023年6月13日
ASEMI代理安森美MOS管FQL40N50参数,FQL40N50描述
摘要: 编辑-Z FQL40N50参数描述: 型号:FQL40N50 漏源电压VDSS:500V 漏极电流ID:40A 漏极电流-脉冲IDM:160A 栅极-源极电压VGSS:±30V 功耗PD:460W 操作和储存温度范围TJ, TSTG:-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流IDSS:1uA 栅极
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posted @ 2023-06-13 17:13 强元芯
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ASEMI代理NXP快恢复功率二极管BYC30W-600P参数
摘要: 编辑-Z BYC30W-600P参数描述: 型号:BYC30W-600P 重复峰值反向电压VRRM:600V 峰值工状向电压VRWM:600V 反向电压VR:600V 平均正向电流IF:30A 正向电压VF:1.38V 反向恢复时间trr:18ns 正向重复峰值电流IFRM:60A 非重复峰值正向电
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posted @ 2023-06-13 17:11 强元芯
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2023年6月12日
ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q,IXFH4N100Q参数
摘要: 编辑-Z IXFH4N100Q参数描述: 型号:IXFH4N100Q VDSS:1000V VDGR:1000V VGS:±20 ID25:4A IDM:16A PD:150W TJ,Tstg:-55 to +150℃ Weight:6g VGS(th):5V IGSS:±100 nA IDSS:5
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posted @ 2023-06-12 16:32 强元芯
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