会员
众包
新闻
博问
闪存
赞助商
HarmonyOS
Chat2DB
所有博客
当前博客
我的博客
我的园子
账号设置
会员中心
简洁模式
...
退出登录
注册
登录
强元芯
博客园
首页
新随笔
联系
订阅
管理
上一页
1
···
8
9
10
11
12
13
14
15
16
···
102
下一页
2023年5月26日
ASEMI代理韩景元可控硅C106M参数,C106M封装,C106M尺寸
摘要: 编辑-Z 韩景元可控硅C106M参数: 型号:C106M 断态重复峰值电压VDRM:600V 通态电流IT(RMS):4A 通态浪涌电流ITSM:30A 平均栅极功耗PG(AV):0.2W 峰值门功率耗散PGM:1W 工作接点温度Tj:-40~125℃ 储存温度TSTG:-40~150℃ 断态重复峰
阅读全文
posted @ 2023-05-26 16:39 强元芯
阅读(39)
评论(0)
推荐(0)
2023年5月25日
ASEMI代理韩景元可控硅BT131规格,BT131大小,BT131体积
摘要: 编辑-Z 韩景元可控硅BT131参数: 型号:BT131 断态重复峰值电压VDRM:600-800V 通态电流IT(RMS):1A 通态浪涌电流ITSM:12A 平均栅极功耗PG(AV):0.3W 峰值栅极电流IGM:1.2A 工作接点温度Tj:-40~125℃ 储存温度TSTG:-40~150℃
阅读全文
posted @ 2023-05-25 16:28 强元芯
阅读(194)
评论(0)
推荐(0)
ASEMI代理长电MCR100-6可控硅的性能与应用分析
摘要: 编辑-Z 本文主要介绍了新型MCR100-6晶闸管的性能与应用。首先,从晶闸管的基本原理和结构出发,分析了MCR100-6晶闸管的性能特点;其次,探讨了MCR100-6晶闸管在各种电子电路中的应用;最后,对MCR100-6晶闸管的发展前景进行了展望。 1、MCR100-6晶闸管的基本原理和结构 MC
阅读全文
posted @ 2023-05-25 16:28 强元芯
阅读(323)
评论(0)
推荐(0)
2023年5月24日
ASEMI代理长电可控硅MCR100-8特征,MCR100-8应用
摘要: 编辑-Z 长电可控硅MCR100-8参数: 型号:MCR100-8 VDRM/VRRM:600V IT(RMS):0.8A 结点温度Tj:-40~125℃ 储存温度Tstg:-55 ~ 150℃ 通态电压VTM:1.7V 栅极触发电压VGT:0.8V 正向或反向阻断电流峰值:10µA 保持电流IH:
阅读全文
posted @ 2023-05-24 16:29 强元芯
阅读(705)
评论(0)
推荐(0)
ASEMI代理长电MAC97A6三端双向可控硅晶闸管综合指南
摘要: 编辑-Z MAC97A6是一种流行的三端双向可控硅开关管,因其在各种应用中的多功能性和可靠性而获得广泛认可。这种半导体器件被设计用于控制交流(AC)负载,并且通常用于各种电子设备,例如电动工具、照明系统和电机控制。在本文中,我们将探讨MAC97A6三端双向可控硅的规格和应用,并讨论其在电子领域的重要
阅读全文
posted @ 2023-05-24 16:28 强元芯
阅读(258)
评论(0)
推荐(0)
2023年5月23日
ASEMI代理长电可控硅MAC97A8图片,MAC97A8大小
摘要: 编辑-Z 长电可控硅MAC97A8参数: 型号:MAC97A8 VDRM/VRRM:600V IT(RMS):1A ITSM:8A 栅极电流(峰值):1A 栅极电压(峰值):5V 栅极功率(峰值):5W 结点温度Tj:-40~+125℃ 储存温度Tstg:-40~+150℃ 额定重复峰值关断状态电流
阅读全文
posted @ 2023-05-23 16:34 强元芯
阅读(357)
评论(0)
推荐(0)
ASEMI代理长电可控硅PCR606:性能特点与应用领域
摘要: 编辑-Z 可控硅(Thyristor)是一种半导体器件,具有高功率、高效率、高可靠性等优点。PCR606是一款常用的可控硅型号,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍PCR606的性能特点、工作原理以及在各个领域的应用。 一、PCR606性能特点 1. 高功率:PCR606具有高功率的特点,可以承
阅读全文
posted @ 2023-05-23 16:33 强元芯
阅读(133)
评论(0)
推荐(0)
2023年5月22日
ASEMI代理长电可控硅PCR406参数,PCR406封装
摘要: 编辑-Z 长电可控硅PCR406参数: 型号:PCR406 VDRM:400V IT(RMS):0.6A 结点温度Tj:-40~+125℃ 储存温度:Tstg:-40~+150℃ 通态电压VTM:1.7V 栅极触发电压VGT:0.8V 断态重复峰值电压:400V 保持电流IH:5mA 栅极触发电流I
阅读全文
posted @ 2023-05-22 16:30 强元芯
阅读(196)
评论(0)
推荐(0)
ASEMI代理英飞凌IPA65R650CE功率MOS管中文资料
摘要: 编辑-Z IPA65R650CE是一款高性能功率晶体管,旨在满足现代电子应用日益增长的需求。这种先进的半导体器件提供了高效、低功耗和优异热性能的独特组合,使其成为广泛应用的理想选择,包括电源、电机驱动和可再生能源系统。 IPA65R650CE的主要功能 1.高压额定值:IPA65R650CE是一款6
阅读全文
posted @ 2023-05-22 16:29 强元芯
阅读(27)
评论(0)
推荐(0)
2023年5月19日
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB072N15N3G原厂MOS管
摘要: 编辑-Z IPB072N15N3G参数描述: 型号:IPB072N15N3G 持续漏极电流:100A 脉冲漏极电流:400A 雪崩能量,单脉冲:780 mJ 栅极-源极电压:±20V 功率耗散:300W 操作和储存温度:-55 to 175℃ 漏源击穿电压:150V 栅极阈值电压:3V 零栅极电压漏
阅读全文
posted @ 2023-05-19 16:54 强元芯
阅读(168)
评论(0)
推荐(0)
上一页
1
···
8
9
10
11
12
13
14
15
16
···
102
下一页
公告