强元芯

摘要： 编辑-Z 在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般采用反向恢复时间短的MURF1040CT整流二极管。常用的有快恢复二极管、超快恢复二极管和肖特基势垒二极管。那为什么说超快恢复二极管MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好？ MURF1040CT参数描述 型号：MURF1040CT 封装：ITO 阅读全文

摘要： 编辑-Z SFF2004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。SFF2004的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。SFF2004采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF2004的电性 阅读全文

摘要： 编辑-Z SFF1604超快恢复二极管是一种具有良好开关特性和超短反向恢复时间的半导体二极管。SFF1604常用于高频逆变器件的开关器件做续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，可以充分发挥开关器件的功能。 SFF1604参数描述 型号：SFF1604 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极 阅读全文

摘要： 编辑-Z MURF860AC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是70MIL，是一款快恢复二极管。MURF860AC的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MURF860AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MURF86 阅读全文

摘要： 编辑-Z 我们都知道，正向压降决定着二极管的功耗和性能，那么什么是二极管的正向压降？ASEMI快恢复二极管SFF806A的压降是多少呢？ SFF806A参数描述 型号：SFF806A 封装：ITO-220AC 特性：超快恢复二极管 电性参数：8A，600V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)： 阅读全文

摘要： 编辑-Z 整流二极管DGL50-2B的作用具有明显的单向导电性。DGL50-2B是由半导体硅材料制成。DGL50-2B的作用可有效实现高击穿电压、低反向漏电流和优良的高温性能。DGL50-2B整流二极管的作用是利用PN结的单向导电性，将交流电转变为脉动直流电。DGL50-2B的电流比较大，大多采用面 阅读全文

摘要： 编辑-Z MUR20060CT在MUR-2封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复模块。MUR20060CT的浪涌电流Ifsm为800A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MUR20060CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR20060CT的电性参数是：正向 阅读全文

摘要： 编辑-Z MUR10060CT参数描述 型号：MUR10060CT 封装：MUR-2 特性：快恢复模块 电性参数：100A600V 芯片材质：GPP硅芯片 正向电流(Io)：100A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 浪涌电流Ifsm：400A 漏电流(Ir)：1mA 恢复时间Trr：110 阅读全文

摘要： 编辑-Z MDS50HB160在MDS-HB封装里采用的4个芯片，是一款三相整流模块。MDS50HB160的浪涌电流Ifsm为750A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MDS50HB160采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MDS50HB160的电性参数是：正 阅读全文

摘要： 编辑-Z MTC110-16在D1封装里采用的2个芯片，是一款可控硅整流模块。MTC110-16的工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MTC110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MTC110-16的电性参数是：正向电流(Io)为110A，反向耐压为1600V，其中有3条引线。 M 阅读全文