会员
众包
新闻
博问
闪存
赞助商
HarmonyOS
Chat2DB
所有博客
当前博客
我的博客
我的园子
账号设置
会员中心
简洁模式
...
退出登录
注册
登录
强元芯
博客园
首页
新随笔
联系
订阅
管理
上一页
1
···
79
80
81
82
83
84
85
86
87
···
102
下一页
2021年9月10日
ASEMI超快恢复二极管SFP6006如何检测
摘要: 编辑-Z 快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,超快恢复二极管SFP6006的反向恢复电荷进一步降低,使其trr可低至几十纳秒。从内部结构上看,快恢复可分为单管和对管(也称双管)两种,双管内有两个快恢复二极管。根据两种二极管的连接方式不同,有共阴极对管和共阳极对管,SFP6006是属于共阴极对管
阅读全文
posted @ 2021-09-10 16:37 强元芯
阅读(353)
评论(0)
推荐(0)
2021年9月9日
开关电源为什么需要ASEMI的D92-02快恢复二极管
摘要: 编辑-Z D92-02快恢复二极管在开关电源中有两种作用,作为快速整流二极管和并联的续流二极管,用于保护IGBT等核心器件。那为什么说开关电源需要ASEMI的D92-02快恢复二极管呢? D92-02参数描述 型号:D92-02 封装:TO-247/3P 特性:超快恢复二极管 电性参数:20A,20
阅读全文
posted @ 2021-09-09 17:15 强元芯
阅读(945)
评论(0)
推荐(0)
HER608-ASEMI高效恢复二极管HER608
摘要: 编辑-Z HER608在R-6封装里采用的1个芯片,是一款小电流、直插高效恢复二极管。HER608的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。HER608采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。HER608的电性参数是:正向电流(Io)为6A,
阅读全文
posted @ 2021-09-09 17:13 强元芯
阅读(372)
评论(0)
推荐(0)
2021年9月8日
10A10-ASEMI整流二极管10A10
摘要: 编辑-Z 10A10在R-6封装里采用的1个芯片,是一款轴向大电流整流二极管。10A10的浪涌电流Ifsm为600A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10A10采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。10A10的电性参数是:正向电流(Io)为10A,反向耐压为1
阅读全文
posted @ 2021-09-08 17:20 强元芯
阅读(1191)
评论(0)
推荐(0)
UF4007-ASEMI恢复二极管和1N4007有什么不同
摘要: 编辑-Z 1N4007是普通的硅整流二极管。这种管的PN结面积大,所以耐压高,工作电流大。但是PN结的结电容也很大,结电容与二极管并联。这种二极管只适用于数百赫兹以下的低频整流电路。如果用在几百KHz以上的高频整流电路中,由于结电容大,管子会失去单向导电性。 虽然UF4007的外封装与1N4007完
阅读全文
posted @ 2021-09-08 17:18 强元芯
阅读(1011)
评论(0)
推荐(0)
2021年9月7日
1N4007-ASEMI整流二极管1N4007
摘要: 编辑-Z 1N4007在DO-41封装里采用的1个芯片,是一款小封装整流二极管。1N4007的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N4007采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。1N4007的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为
阅读全文
posted @ 2021-09-07 16:59 强元芯
阅读(1016)
评论(0)
推荐(0)
FR107-ASEMI快恢复二极管FR107可以做整流桥用吗
摘要: 编辑-Z 在实际应用中,高频场合采用快恢复二极管,普通的用整流二极管,那么FR107-ASEMI快恢复二极管FR107可以做整流桥用吗?首先,我们先来了解一下快恢复二极管FR107和普通二极管有什么区别? FR107参数描述 型号:FR107 封装:DO-41 特性:小电流、插件 电性参数:1A 1
阅读全文
posted @ 2021-09-07 16:57 强元芯
阅读(611)
评论(0)
推荐(0)
2021年9月6日
ASEMI恢复二极管US1G的代换原则
摘要: 编辑-Z US1G快恢复二极管的工作原理与普通二极管相同,但普通二极管在开关状态下的反向恢复时间较长,约为4~5ms,不能满足高频开关电路的要求。快恢复二极管US1G有一个重要参数决定其性能——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是二极管从正向导通状态快速切换到截止状态,从输出脉冲下降到零线,到反向电源
阅读全文
posted @ 2021-09-06 17:05 强元芯
阅读(545)
评论(0)
推荐(0)
US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M
摘要: 编辑-Z US1M在SMA封装里采用的1个芯片,是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1M的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1M采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。US1M的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V
阅读全文
posted @ 2021-09-06 17:02 强元芯
阅读(701)
评论(0)
推荐(0)
2021年9月3日
MURF1640CT-ASEMI超快恢复二极管MURF1640CT
摘要: 编辑-Z MURF1640CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是90MIL,是一款超快恢复二极管。MURF1640CT的浪涌电流Ifsm为175A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。MURF1640CT采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MU
阅读全文
posted @ 2021-09-03 17:11 强元芯
阅读(330)
评论(0)
推荐(0)
上一页
1
···
79
80
81
82
83
84
85
86
87
···
102
下一页
公告