强元芯

摘要： 编辑-Z 快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，超快恢复二极管SFP6006的反向恢复电荷进一步降低，使其trr可低至几十纳秒。从内部结构上看，快恢复可分为单管和对管（也称双管）两种，双管内有两个快恢复二极管。根据两种二极管的连接方式不同，有共阴极对管和共阳极对管，SFP6006是属于共阴极对管 阅读全文

摘要： 编辑-Z D92-02快恢复二极管在开关电源中有两种作用，作为快速整流二极管和并联的续流二极管，用于保护IGBT等核心器件。那为什么说开关电源需要ASEMI的D92-02快恢复二极管呢？ D92-02参数描述 型号：D92-02 封装：TO-247/3P 特性：超快恢复二极管 电性参数：20A，20 阅读全文

摘要： 编辑-Z HER608在R-6封装里采用的1个芯片，是一款小电流、直插高效恢复二极管。HER608的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。HER608采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。HER608的电性参数是：正向电流(Io)为6A， 阅读全文

摘要： 编辑-Z 10A10在R-6封装里采用的1个芯片，是一款轴向大电流整流二极管。10A10的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10A10采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。10A10的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为1 阅读全文

摘要： 编辑-Z 1N4007是普通的硅整流二极管。这种管的PN结面积大，所以耐压高，工作电流大。但是PN结的结电容也很大，结电容与二极管并联。这种二极管只适用于数百赫兹以下的低频整流电路。如果用在几百KHz以上的高频整流电路中，由于结电容大，管子会失去单向导电性。 虽然UF4007的外封装与1N4007完 阅读全文

摘要： 编辑-Z 1N4007在DO-41封装里采用的1个芯片，是一款小封装整流二极管。1N4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N4007采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N4007的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为 阅读全文

摘要： 编辑-Z 在实际应用中，高频场合采用快恢复二极管，普通的用整流二极管，那么FR107-ASEMI快恢复二极管FR107可以做整流桥用吗？首先，我们先来了解一下快恢复二极管FR107和普通二极管有什么区别？ FR107参数描述 型号：FR107 封装：DO-41 特性：小电流、插件 电性参数：1A 1 阅读全文

摘要： 编辑-Z US1G快恢复二极管的工作原理与普通二极管相同，但普通二极管在开关状态下的反向恢复时间较长，约为4～5ms，不能满足高频开关电路的要求。快恢复二极管US1G有一个重要参数决定其性能——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是二极管从正向导通状态快速切换到截止状态，从输出脉冲下降到零线，到反向电源 阅读全文

摘要： 编辑-Z US1M在SMA封装里采用的1个芯片，是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。US1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V 阅读全文

摘要： 编辑-Z MURF1640CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。MURF1640CT的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。MURF1640CT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MU 阅读全文