强元芯

摘要： 编辑-Z MBR30300FCT在TO-220F封装里采用的2个芯片，是一款高压大电流肖特基二极管。MBR30300FCT的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MBR30300FCT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30300F 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR30300CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款30A 300V肖特基二极管。MBR30300CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR30300CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR303 阅读全文

摘要： 编辑-Z 肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性： 从VI特性可以看出，肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性与普通PN结二极管相似，但仍存在以下区别。 肖特基势垒二极管的正向压降低于普通PN结二极管。由硅制成的肖特基势垒二极管的正向压降呈现出0.3伏至0.5伏的正向压降。 正向 阅读全文

摘要： 编辑-Z MUR60120PT在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款大功率高耐压整流二极管。MUR60120PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MUR60120PT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR60120PT的电 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR20300CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款高压大电流肖特基二极管。MBR20300CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20300CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20300C 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE60DQ120BG是一种将交流电能转换为直流电能的半导体器件。通常它包含一个带有正负端子的PN结，二极管最重要的特性是单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，从负极流出。那么ASEMI整流二极管ASE60DQ120BG怎么选用和代换呢？ ASE60DQ120BG的选用： 整 阅读全文

摘要： 编辑-Z APT60DQ120BG在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款大功率高耐压整流二极管。APT60DQ120BG的浪涌电流Ifsm为540A，漏电流(Ir)为100uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。APT60DQ120BG采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。APT60 阅读全文

摘要： 编辑-Z AMS1117-5.0是一款正向低压差稳压器，在1A电流时压降为1.2V。AMS1117有两个版本：固定输出版本和可调版本，固定输出电压为1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.0V、3.3V、5.0V，精度为1%；固定输出电压为1.2V的准确度为2%。AMS1117-5.0集成过热 阅读全文

摘要： 编辑-Z AMS1117-3.3是一款输出电压为3.3V的正向低压差稳压器，适用于高效线性稳压器、开关电源稳压器、电池充电器、有源小型计算机系统接口端子、笔记本电脑供电仪器的电源管理电池。下面给大家介绍ASEMI线性稳压电源芯片AMS1117-3.3参数及接线电路图。 基本参数： 绝对最大额定值： 阅读全文

摘要： 编辑-Z 整流桥又称桥堆，是由2个或4个二极管组成的整流器件。这种桥堆主要包括半桥和全桥两种，半桥可分为正半桥和负半桥两类别。GBPC2510整流桥是属于桥式全桥，那么ASEMI整流桥GBPC2510的作用是什么？ 选择GBPC2510整流桥时，要注意整流电路和工作电压。整流桥堆GBPC2510通常 阅读全文