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2022年6月16日
SF1004-MHCHXM超快恢复二极管SF1004
摘要: 编辑-Z SF1004在TO-220AB封装里采用的1个芯片,其尺寸都是86MIL,是一款超快恢复二极管。SF1004的浪涌电流Ifsm为100A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。SF1004采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。SF1004的电性参数是:正向
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posted @ 2022-06-16 15:33 强元芯
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2022年6月14日
ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法
摘要: 编辑-Z MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累
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posted @ 2022-06-14 15:03 强元芯
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2022年6月13日
100N10-ASEMI大功率MOS管100N10
摘要: 编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A,连续漏极电流(ID)为100A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.
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posted @ 2022-06-13 15:52 强元芯
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ASEMI大功率MOS管90N10参数,90N10应用,90N10图示
摘要: 编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数: 型号:90N10 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):90A 栅源电压(VGSS):±20V 功耗(PD):125W 漏源漏电流(IDSS):100uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):3V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):8
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posted @ 2022-06-13 15:51 强元芯
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2022年6月11日
ASEMI的MOS管25N120在不同应用场景的表现
摘要: 编辑-Z 根据其应用方式,MOS管25N120的主要作用是: 1、做放大管; 2、做高速管; 3、做电流镜管; 4、做开关。 25N120参数描述 型号:25N120 封装:TO-247 集电极-发射极电压(VCES):1200V 集电极电流(IC):25A 栅极-发射极电压(VGES):±20V
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posted @ 2022-06-11 15:17 强元芯
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ASEMI的MOS管24N50参数,24N50封装,24N50尺寸
摘要: 编辑-Z ASEMI的MOS管24N50参数: 型号:24N50 漏源电压(VDSS):500V 连续漏极电流(ID):24A 栅源电压(VGSS):±30V 功耗(PD):290W 漏源漏电流(IDSS):50uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):4V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.24
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posted @ 2022-06-11 15:16 强元芯
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2022年6月10日
20N10-ASEMI中小功率MOS管20N10
摘要: 编辑-Z 20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A,连续漏极电流(ID)为20A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。
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posted @ 2022-06-10 16:06 强元芯
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ASEMI场效应管12N65参数,12N65规格书,12N65特征
摘要: 编辑-Z ASEMI场效应管12N65参数: 型号:12N65 漏源电压(VDSS):650V 连续漏极电流(ID):12A 栅极阈值电压(VGS(TH)):±30V 功耗(PD):140W 漏源漏电流(IDSS):10uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):4V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):
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posted @ 2022-06-10 16:05 强元芯
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2022年6月9日
ASEMI的MOS管9N90参数,9N90电路图,9N90实物图
摘要: 编辑-Z ASEMI的MOS管9N90参数: 型号:9N90 漏源电压(VDSS):900V 栅源电压(VGSS):±30V 连续漏极电流(ID):9.0A 脉冲漏极电流(IDM):36A 功耗(PD):49W 漏源漏电流(IDSS):10uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):3V 静态漏源导通电阻
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posted @ 2022-06-09 15:50 强元芯
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10N60-ASEMI中小功率MOS管10N60
摘要: 编辑-Z 10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A,连续漏极电流(ID)为10A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。
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posted @ 2022-06-09 15:50 强元芯
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