随笔分类 - 1. 硬件相关
摘要：31.1 FSMC main features FSMC块能够与同步和异步内存和16位PC存储卡。其主要目的是： 将AHB事务转换为适当的外部设备协议 满足外部设备的访问定时要求 所有外部存储器与控制器共享地址、数据和控制信号。每个外部设备通过一个唯一的芯片选择来访问。FSMC一次只能访问一个外部设
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摘要：9.1 介绍 Direct memory access(DMA) 直接存储器访问。 这两个DMA控制器总共有16个流(每个控制器8个)，每个流用于管理来自一个或多个外围设备的内存访问请求。每个流总共可以有8个通道(请求)。每个都有一个仲裁器来处理DMA请求之间的优先级。 9.2 特点 DMA的主要特
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摘要：检查一下STM32复位管脚是不是0V，如果是0V的话并且你有上拉电阻，那么就断电后检查一下STM32的VCC和GND是否短路，我的就是两个贴片电容击穿造成的短路从而使RST无法拉高。
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摘要：1. USB 1.1 复位 1.2 Packet Buffer的使用（硬件缓冲区） 23.5.1 Common registers USB control register (USB_CNTR) Bit 15 CTRM: Correct transfer interrupt mask 0: Corr
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摘要：Frm: http://blog.sina.com.cn/s/blog_78e87ba10102wj9g.html 在数字电路中，组成一连串信息的基元就是0和1，无论是在CPU、DSP、MCU甚至是个数字计数器中，数字电路在其中能够处理的信息也只有0和1，而对于任何外界的信息，计算机都能通过两个量来
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摘要：memory map • Four masters: – Cortex® -M3 core DCode bus (D-bus) and System bus (S-bus)– GP-DMA1 & 2 (general-purpose DMA) • Four slaves: – Internal SR
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摘要：1. 主要特点： 每个中断/事件线上的独立触发器和掩码 每个中断行的专用状态位 生成最多20个软件事件/中断请求 脉冲宽度小于APB2时钟周期的外部信号检测。 每条中断线路的专用状态位生成最多20个软件事件/中断请求检测脉冲宽度小于APB 2时钟周期的外部信号。 2. 概况 根据上图可以看出，inp
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摘要：特点 60个可屏蔽中断通道(不包含16个Cortex™-M3的中断线)； 16个可编程的优先等级(使用了4位中断优先级)； 低延迟的异常和中断处理； 电源管理控制； 系统控制寄存器的实现； 1. 中断和异常向量 中断优先级分组 STM32(Cortex-M3)中有两个优先级的概念--抢占式优先级和响
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摘要：C99：here 例如声明了这样的结构体 赋值结果： 设置：
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摘要：1. DMA简介 直接存储器存取(Dma)是为了提供高速数据传输外围设备和内存以及内存到内存。数据可以通过dma快速移动。没有任何CPU操作。这使得CPU资源可以用于其他操作。 这两个DMA控制器总共有12个通道(DMA 1的7个通道和DMA 2的5个通道)，每个通道都有。专用于管理来自一个或多个外
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摘要：o read/write the AFIO_EVCR, AFIO_MAPR and AFIO_EXTICRX registers, the AFIO clock should first be enabled. Refer to Section 7.3.7: APB2 peripheral cloc
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摘要：27.1 USART introduction 通用同步异步接收发射机(USART)对需要NRZ异步串行数据格式行业标准的外部设备，提供了一个灵活的全双工数据交换的方法。USART使用分数波特率生成器提供非常广泛的波特率。 它支持同步单向通信和半双工单线通信.它还支持LIN(本地互连网络)、Smar
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摘要：转自 1. Cortex-M3的异常/中断屏蔽寄存器组 注:只有在特权级下，才允许访问这3个寄存器。 名 字 功能描述 PRIMASK 只有单一比特的寄存器。置为1后，就关掉所有可屏蔽异常，只剩下NMI和硬Fault可以响应。默认值是0，表示没有关闭中断。 FAULTMASK 只有单一比特的寄存器。
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摘要：配置 写入RTC_PRL, RTC_CNT, RTC＿ALR寄存器时，需要先进入配置模式，通过把RTC_CRL寄存器的CNF位置一。 另外，在每次配置一个寄存器时必须等待上一次配置完成，可以通过检测RTC_CRL中的RTOFF位是否为1，需要等待到是1时才能进行下一步配置。 配置步骤：
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摘要：https://blog.csdn.net/qq_29350001/article/details/52199356 设置铺铜间距规则，Electrical-Clearence_Poly设置如下，是铺铜时铜与线以及铜与焊盘等的间距。注意这个的Full Query 为InPoly 说明是设置铜间距的。
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摘要：1.简述 MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在普通电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
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摘要：常用发光二极管的压降 1. 直插超亮发光二极管压降 主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体压降参考值如下： 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V 黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V 绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V 正常发光时的额定电流约为20mA。 2.贴片LED压降
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摘要：0. 总结 NPN适合做低端驱动，即PN结在下面（低端），发射极E接地。 PNP适合做高端驱动，即PN结在上面（高端），发射极E接VCC。 Tips：标箭头的PN结，中间的是基极B，外头是E极。 1. 简述 三极管开关属于电流控制开关，Ib控制Ic，与MOSFET管电压控制相反： NPN和PNP的电
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