随笔分类 - 硬件电路分析
摘要：在当今高度技术化的时代，优秀硬件工程师的地位变得越来越重要。 随着物联网、人工智能、云计算等领域的飞速发展，硬件工程师需要不断掌握最新的技术，不断提升自己的能力，以适应不断变化的市场需求。 本文将探讨优秀硬件工程师的成长之路，从职业发展阶段、所需技能、跨领域学习、技术积累、挑战与难点等方面进行分析和
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摘要：电源是系统的血脉，要舍得成本，这对产品的稳定性和通过各种认证是非常有好处的。 尽量采用∏型滤波，增加10uH电感，每个芯片电源管脚要接104旁路电容;采用压敏电阻或瞬态二极管，抑制浪涌；模电和数电地分开，大电流和小电流地回路分开，采用磁珠或零欧电阻隔开；设计要留有余量，避免电源芯片过热，攻耗达到额定
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摘要：2022年PCI-SIG组织宣布PCIe 6.0规范标准v1.0版本正式发布，宣告完工。 延续了惯例，带宽速度继续增倍，x16下可达128GB/s(单向)，由于PCIe技术允许数据全双工双向流动，因此双向总吞吐量就是256GB/s。 • Definitions/Metrics to Help Fra
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摘要：HDMI 2.0的传输带宽18Gbit/s; DP 1.2 的传输带宽17.28Gbit/s理论上HDMI 2.0高一点，实际上没区别.。 HDMI接口和DP接口的区别 1、厂商不同HDMI是电视机厂商主导的,而DP是由PC及芯片制造商联盟开发的.需要注意的是,HDMI需要授权费,DP则不需要. 2
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摘要：什么是地弹 相对与信号完整性的其他问题，对于地弹，大家或许相对陌生一些。 所谓“地弹”，是指芯片内部“地”电平相对于电路板“地”电平的变化现象。以电路板“地”为参考，就像是芯片内部的“地”电平不断的跳动，因此形象的称之为地弹（ground bounce）。当器件输出端有一个状态跳变到另一个状态时，地
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摘要：阻抗的均匀稳定，对信号的传输至关重要， 所以，本文聊一聊阻抗。 瞬态阻抗（Transient Impedance）： 瞬态阻抗是指在传输线上的瞬时电阻抗，通常随着时间的变化而变化。它描述了信号在传输线上传播时的阻抗变化情况。 瞬态阻抗通常用于描述信号的上升（rise）和下降（fall）边缘，以及它们
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摘要：信号完整性是指信号能够在传输过程中保持其原有特征和形状的能力。 在数字信号中，信号完整性问题主要造成时序、噪声和电磁干扰等三种影响和后果。 其中，转折频率和带宽是影响信号完整性的两个重要因素。 先说转折频率和带宽这两个概念的定义： 转折频率是指一个系统频率响应从最大值下降到最小值时所对应的频率。在高
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摘要：任何一个领域的深入发展，想有所收获，都需要熟悉其中更多的套路。电路系统的设计调试也不例外，大体包括几个大的部分：电源供电以及时序的控制；时钟是否工作；复位信号是否正确给出；再有就是一些外围的接口以及GPIO的控制等等。只有熟悉了这一个个的模块，才能让系统正常的转起来。 研究SDRAM也是一样，首先看
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摘要：电容是电路设计中最为普通常用的器件，也常常在高速电路中扮演重要角色。 电容的用途非常多，主要有如下几种： 1. 隔直流： 作用是阻止直流通过而让交流通过。 2. 旁路（去耦）： 为交流电路中某些并联的组件提供低阻抗通路。 3. 藕合 ：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路 。
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摘要：高速电路通常是指信号的上升沿足够快，以致于不能忽略信号在PCB板上的传输时间延迟。一般来说，当PCB板上的传输延迟大于信号上升沿的二分之一时，该电路就可以被认为是高速电路。 而高频电路则通常是指工作的频率达到了很高的数值。 高速电路的设计需要考虑到信号传输线效应、电源分配、信号完整性等问题，其中信号
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摘要：电路中，电容的主要作用有四种，也就是我们常说的储能，滤波，旁路，去耦。四种电路的应用形式，可以用下图简要表示应用场合。 而具体说来，电容作用可以详细归纳如下 能量存储：电容可以存储电能，当电压施加在电容上时，电容会存储电荷。这种能量存储特性使电容在平滑电源电压、提供瞬态电源等方面非常有用。 滤波：电
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摘要：从信号完整性的角度来看，电容在电子电路中具有关键的应用。电容是一种被用来存储电荷并在电路中传递电流的被动元件，它对信号完整性有着重要的影响。 1. 去耦电容的选择 电容类型总结表格 实际的电容并不是理想，表现为： a.电容具有引脚电感，当频率高到一定的值后会使得电容的阻抗增加； b.电容具有ESR，
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摘要：DDR3是2007年推出的，预计2022年DDR3的市场份额将降至8%或以下。但原理都是一样的，DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分，本文主要阐述DDR3读写分离的方法。 最开始的DDR，芯片采用的是TSOP封装，管脚露在芯片两侧的，测试起来相当方便；但是，DDRII和III就不一样了
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摘要：DDR存储器发展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低电压，更密的存储密度，从而实现更好的性能。 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200M
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摘要：本文可以了解什么？ DDR-DDR4内存模块的差异以及对比；逻辑BANK的概念与定义；芯片的位宽的解释。 下图是DDR3的PHY IP Core的定义规范。 DDR-DDR4的物理结构差异 首先，我们来对比一下DDR, DDR2, DDR3 SDRAM, and DDR4 SDRAM物理结构上的差别
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摘要：显卡应该算是是目前最为火热的研发方向了，其中的明星公司当属英伟达。 当地时间8月23日，英伟达发布截至7月30日的2024财年第二财季财报，营收和利润成倍增长，均超市场预期。 财报显示，第二财季英伟达营收为135.07 亿美元，同比增长101%，环比增长88%。美国通用会计准则（GAAP）下，净利润
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摘要：本文要点： 给出了华为三星及英特尔的常用FLASH参考电路；结合datasheet解说2 bit以及4 bit的NAND FLASH;调试思路总结以及简单的调试经验分享；最新的3D Xpoint技术介绍。 首先，我要用这张图来说明存储器近70年的发展历程，纵观这70年的发展，可以发现主要是在容量，速
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摘要：本文要点提示： DRAM 的工作原理图文解说，包括读写以及存储；揭秘DRAM便宜但SRAM贵之谜。 内存应该是每个硬件工程师都绕不开的话题，稍微复杂一点的系统都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最为复杂也最贵的核心部件了，其设计，仿真，调试，焊接，等等都非常复杂，且重要。对DRAM使用的
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摘要：早期苹果手机的硬件设计在业界享有很高的声誉，技术领先，主要体现在以下方面： 整合性设计：苹果采用垂直整合的设计理念，掌控硬件和软件的整个生态系统。这种一体化设计使得硬件和软件之间更好地协同工作，提供更流畅、高效的用户体验。 高质量的材料和制造工艺：苹果注重采用高质量的材料，如航空级铝合金和强化玻璃，
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摘要：本文要点： NAND FLASH与NOR FLASH 的技术对比；最详细的存储单元对比详解；NAND FLASH与NOR FLASH 的最新市场份额及应用；NAND FLASH与NOR FLASH 的基础原理分析。 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据
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