光隔离探头在SiC/GaN测试中的应用

光隔离探头通过电-光-电转换实现完全电气隔离，是SiC/GaN功率器件测试的关键工具。其核心优势在于超高共模抑制比（1GHz时仍保持-100dB）和60kV以上隔离电压，能够准确测量半桥上管VGS等传统探头难以捕捉的信号。

测试操作流程

设备连接：将探头接收器通过BNC接口连接示波器，输入阻抗设为1MΩ。根据被测信号幅值选择合适衰减器（保留30%余量），通过同轴延长线连接探头前端。使用Type-C接口为接收器供电，发射器自动上电。

参数设置：示波器通道衰减比需与探头一致，输入电阻设为50Ω，触发模式选择边沿触发，触发电压设为驱动电压的50%。针对SiC测试选择350MHz以上带宽，GaN测试选择500MHz以上带宽。

探头安装：探头前端盒通过专用夹具固定在被测IGBT模块附近，连接光纤至示波器后端。探头外壳通过接地线连接到系统参考地以增强抗干扰能力。

关键应用场景

上管VGS测量：传统差分探头测量时VGS波形会出现严重震荡，光隔离探头能够真实反映驱动信号，避免误判。双脉冲测试：准确测量开关过程中的电压电流波形，为开关损耗计算提供可靠数据。Crosstalk过程测试：准确捕捉正向和负向尖峰，为电路设计优化提供依据。

安全注意事项

测试前估计被测电压幅值，插入合适衰减器。测试完毕后必须先关闭被测电路电源再取下探头。高压测试时保持安全距离，佩戴绝缘手套。定期清洁探头接口，每3个月对电池供电探头进行充放电循环。探头应存放在干燥无尘环境中，避免阳光直射和高温。

光隔离探头凭借其卓越性能，已成为SiC/GaN功率器件测试不可或缺的工具，为第三代半导体技术发展提供可靠测试保障。