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IGBT/二极管模块

实现理想的IGBT、GTO或MOSFET及反并联二极管

库

Simscape / Electrical / Specialized Power Systems / Power Electronics

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描述

IGBT/二极管模块是IGBT（或GTO、MOSFET）/二极管对的简化模型，其中忽略了强制换流器件和二极管的正向导通压降。

参数

内阻 Ron
IGBT器件的内阻Ron，单位为欧姆(Ω)。默认值为1e-3。

缓冲电阻 Rs
缓冲电阻值，单位为欧姆(Ω)。默认值为1e5。将缓冲电阻 Rs参数设置为inf可从模型中移除缓冲电路。

缓冲电容 Cs
缓冲电容值，单位为法拉(F)。默认值为inf。将缓冲电容 Cs参数设置为0可移除缓冲电路，设置为inf可获得纯电阻缓冲电路。

显示测量端口
若勾选此项，将为模块添加Simulink输出端口，返回二极管IGBT的电流和电压值。默认已勾选。

输入与输出

g
用于控制IGBT通断的Simulink信号。

m
模块的Simulink输出是一个包含两个信号的向量。可通过Simulink库中的总线选择器模块对这些信号进行解复用。

信号	定义	单位
1	IGBT/二极管电流	A
2	IGBT/二极管电压	V

假设与限制

IGBT/二极管模块实现了真实IGBT和二极管器件的宏观模型。它既未考虑器件的几何结构，也未涉及复杂的物理过程[1]。

除非使用其缓冲电路，否则IGBT/二极管模块不得与电感器、电流源或开路串联连接。

另请参阅

IGBT、二极管

版本历史

发布于R2006a