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摘要:当测量一个bandgap时发现使用万用表和示波器测量的电压有出入 示波器的测量值要稍小一点 万用表的要稍大一点本来怀疑是像之前高中的时候做过的题 就说用两个同样的电压表进行测量的时候 哪个测量的电压高 说明内阻大 测量的电压更准但是后来又看了一下 不是这个问题 原来是万用表那个东西在电池供电不足的时候测量的电压就会向上偏次奥 后来又测量了一下示波器探头的直流电阻 大概是在3.2MΩ 基本就是一个电压表的量级了 也算是一个经验吧 阅读全文
posted @ 2013-04-23 10:30 poiu_elab 阅读(194) 评论(0) 推荐(0)
摘要:之前遇到一个问题测试的时候相当于将一个时钟数了1段时间之后拉一个高电平出来 比如是10M的时钟 数了40ms之后给个置高的信号但是每次都是少了一半的时间 比如10M的时钟输入 置高的信号是在数了20ms之后就变高了这个是基于一个芯片测试的小FPGA测试程序怀疑是各种问题 包括1.示波器坏了 2.信号发生器坏了 3.FPGA的IO口坏了验证1很简单 找几个时钟发生器验证一下测量的时间就知道没有问题 很容易排除验证2的时候直接观察输出的时钟频率是10M 用FPGA的拉入拉出的1个pin作为输出进行测试 也没问题验证3不太好验证 不过输入的时钟 直接输出的时候就是10M至少证明输入的时钟信号没啥“大 阅读全文
posted @ 2013-04-23 10:16 poiu_elab 阅读(357) 评论(0) 推荐(0)
摘要:近来也没干什么之前1月2日流出去的芯片回来了(其实是早就回来了)只不过一直懒着没有写总结 ╭(╯^╰)╮于是因为遗留了大量的问题 typeB非常不理想 结果就只能作罢 准备下一次流片把typeB调好 再流出去关于具体问题 一会儿另文再写再说说干嘛了吧 实验室的卡要MP了 我去 真是振聋发聩的消息 怎么说呢 我还是祝他们成功吧(笑)事情太多了 稍微分时间叙述一下首先是1月份的芯片在2月底回来的吧 1321和1301v06一起 因为主要重心还是在21上面于是 就没怎么测1301 后来又因为3月2日 TSMC35重新流了一次1321 王老师他们基本也没怎么管这个 后来COB回来 问题都反映出来了 于 阅读全文
posted @ 2013-04-09 17:02 poiu_elab 阅读(282) 评论(0) 推荐(0)
摘要:这次的测试总共花了3个晚上加上一个白天,收获不能算是不多,只不过有点小虚,因为解决的都是板级的问题了,不过这种经验还是越多越好,不然下次自己的神马芯片出了问题的话,可能就真解决不了了。本来是2012/12/11打算一晚上测完的,结果搞了4天,到周五白天花了一个白天真正测试完毕。期间经历了各种问题,真是各种蛋疼啊,拖到了现在才来记述,因为今天流片任务才算正式结束的。第一个晚上,把本来在系统组的analog only的测试平台搬到了1201,于是发现怎么都调不好,就开始各种手摸着各种pin脚,各种试验,终于第一天晚上把问题大概的定位到了analog only的SPI总线上,发现将CSn和SCK用手 阅读全文
posted @ 2012-12-31 18:45 poiu_elab 阅读(410) 评论(0) 推荐(0)
摘要:(太专业了没懂以备后用吧)对上拉电阻和下拉电阻的选择应结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定,主要需要考虑以下几个因素:1. 驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例,一般地说,上拉电阻越小,驱动能力越强,但功耗越大,设计是应注意两者之间的均衡。2. 下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例,当输出高电平时,开关管断开,上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。3. 高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同,电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。以上拉电阻为例,当输出低电平时,开关管导通,上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。4. 频率特性。以上拉电阻为例,上 阅读全文
posted @ 2012-06-06 11:40 poiu_elab 阅读(932) 评论(0) 推荐(0)
摘要:从foundry厂得到圆片进行减薄、中测打点后,即可进入后道封装。封装对集成电路起着机械支撑和机械保护、传输信号和分配电源、散热、环境保护等作用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁,从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM,技术指标一代比一代先进,包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,引脚数增多,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便等等。 近年来电子产品朝轻、薄、短、小及高功能发展,封装市场也随信息及通讯产品朝高频化、高I/O 数及小型化的趋势演进。 由1980 年代以前的通孔插装(PTH)型态,主流产品为DIP(Dual In. 阅读全文
posted @ 2012-06-06 11:29 poiu_elab 阅读(2792) 评论(0) 推荐(0)
摘要:集成芯片(IC)的三个温度等级(商业级、工业级和军品级):商业级集成芯片(IC)的温度定额为0℃~70℃;工业级集成芯片(IC)的温度定额为-40℃~85℃;军品级集成芯片(IC)的温度定额为-55℃~125℃。 阅读全文
posted @ 2012-06-06 11:24 poiu_elab 阅读(16652) 评论(0) 推荐(0)
摘要:现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。一、 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的L 阅读全文
posted @ 2012-06-06 11:22 poiu_elab 阅读(568) 评论(0) 推荐(0)
摘要:有源和无源在电子学上,通常将含有晶体管元件的电路称作“有源电路”(如有源音箱、有源滤波器等),而仅由阻容元件组成的电路称作“无源电路”。不依靠外加电源(直流或交流)的存在就能独立表现出其外特性的器件就是无源器件。之外就是有源器件。所谓“外特性”就是描述器件的某种关系量,尽管是使用了电压或电流,电场或磁场压力或速度等等量来描述其关系。无源器件的外特性却与他们是否作为策动源而存在没有关系。有源晶振和无源晶振的简单介绍无源晶振无源晶振为crystal(晶体),无源晶振是有2个引脚的无极性元件,需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确。无源晶振没有电压的问 阅读全文
posted @ 2012-05-08 23:29 poiu_elab 阅读(1253) 评论(0) 推荐(0)
摘要:基本上处理的都是软件方面的事宜,由于MSP430 5519造价太高,于是有了平台移植的一个工作,移植到430 5418上面,于是就把所有的底层函数重新写了一遍,截止到昨天总算是完成了,其实里面的学问还是蛮多的,由于是临时的现场飞线的板子,晶振十分的不稳定,所以程序时而跑飞,时而跑飞的。而且平台不稳定的问题基本解决,主要影响的因素还是时钟线的问题,不知道是时钟插座不好,还是时钟线不好,反正是在G21的时钟pin上会出问题,重新分配到J21上面就没有问题了。板级的问题还是挺值得关注的,不稳定的平台会让你欲生欲死的。接着周末的SKY1301的芯片就能回来,就要进行测试了,这个东西还是挺让人担心的,最 阅读全文
posted @ 2012-04-18 09:22 poiu_elab 阅读(223) 评论(0) 推荐(0)
摘要:NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想 阅读全文
posted @ 2012-04-04 09:26 poiu_elab 阅读(437) 评论(0) 推荐(0)