大普RTC代理商|INS58563、INS5T8025、INS5699C

大普RTC物料主要有：
车规级RTC，内置晶体+温补：
INS5A8900，±5.0ppm@-40℃ ~ +85℃，Ext. +80℃ ~ +105℃，功耗1.5μA；
INS5A8804，±5.0ppm@-40℃ ~ +85℃，Ext. +80℃ ~ +105℃，功耗1.5μA；
INS5A4803，±5.0ppm@-40℃ ~ +85℃，功耗1.0μA；

大普超高精度RTC，内置晶体+温补，功耗1.0μA，针对工控、电力、安防监控、数据中心等领域对RTC精度的较高要求，大普提供了超高精度RTC系列，精度有±2ppm/±3.4ppm/±5ppm，支持多种封装尺寸，可以满足不同应用场景的个性化需求。
INS5902A ，±2.0ppm@-40℃ ~ +85℃
INS5699C ，±3.4ppm@-40℃ ~ +85℃
INS5699S ，±5ppm@-40℃ ~ +85℃
NS5T8900，±3.4ppm@-40℃ ~ +85℃
INS5T8900，±5ppm@-40℃ ~ +85℃
INS5T8025，±3.4ppm@-40℃ ~ +85℃
大普高精度RTC优势：
1）对晶体进行了全温区的温漂补偿，并为客户的在板二次高精度补偿进行了预留，进一步提升了芯片的频率精度；
2）芯片上板会因为应力影响，导致频率偏移，影响计时精度。大普提供自研S/D值、频率测试校准一体设备，通过测试做进一步校准，提升芯片上板后的频率精度；该设备部署在生产线上，可以帮助用户提升产品的频率精度、直通率和一致性；
3）已通过了电科院认证，为客户提供认证依据。

低功耗、高性价比RTC芯片，高精度RTC
INS5710B 内置晶体，±5ppm(25℃)，Temp. -40℃ ~ +85℃ ，功耗0.8μA
INS5710C 内置晶体+温补，±20ppm@-20℃ ~ +70℃，Temp. -40℃ ~ +85℃功耗1.0μA
INS5T8130内置晶体，±5ppm(25℃)，Temp. -40℃ ~ +85℃，功耗0.7μA

集成式RTC
INS5710B、INS5710C、INS5830B

分离式RTC
INS5101A ，±20ppm(25℃)，Temp. -40℃ ~ +85℃，功耗0.5μA
INS5T8563，±20ppm(25℃)，Temp. -40℃ ~ +85℃，功耗0.7μA

快启抗震宽温RTC
INS5S8563，内置硅振，±100ppm@-55℃ ~ +125℃，功耗1.0μA

恒温晶振OCXO：超高稳定度、宽温、低相噪、低功耗、小型化，产品系列化。
O22B-G426-80.00MHz

温补晶振TCXO：高稳定度、超宽温、低相噪、超小封装、超低功耗，产品系列化，支持客户定制。
高稳定度、超宽温、低相噪TCXO7050系列、TCXO5032系列，温度稳定度±0.5~±0.05 ppm，-140相噪（dBc/Hz@1K）
超小封装、超低功耗TCXO1612/2016/2520/3225系列，温度稳定度±0.5ppm

时钟模块(Clock Module)
同步精度高、保持能力强、温度稳定度高、频率准确度高、短稳性能强。
CM11T系列时钟模块，内置TCXO、超宽温，同步精度±50ns
CM55、CM22系列时钟模块，内置OCXO、超高精度
CM30系列时钟模块，内置OCXO、高频低噪
CM66系列时钟模块，内置OCXO+GNSS接收机
CM35P系列时钟模块，内置OCXO+1588芯片