PW3230平芯微代理商，过充检测4.25-4.35V，过放释放3.0V

PW3230 芯片介绍

型号：PW3230

单节锂电池保护芯片

摘要：

PW3230 是一款高集成度的单节锂离子/聚合物电池保护解决方案，集成了先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。采用超小型SOT23-5封装，仅需一个外部元件，非常适合空间有限的电池组应用。该芯片具备全面的保护功能，包括过充、过放、过流和负载短路保护等，确保电池安全高效使用。

PW3230 关键特性

1、高集成度：集成先进的功率MOSFET，等效RDS(ON)为45mΩ

2、超小型封装：SOT23-5封装，节省PCB空间

3、全面保护功能：

（1）过充保护

（2）过放保护

（3）过流保护（两步检测）

（4）负载短路保护

（5）过温保护

（6）充电器检测功能

（7）OV电池充电功能

4、高精度电压检测：确保安全高效的充电

5、低待机电流：典型值2.8μA（工作模式），1.5μA（掉电模式）

6、RoHS合规：无铅产品

PW3230 应用场景

1、单节锂离子电池组

2、单节锂聚合物电池组

3、数字移动电话

4、其他需要长电池寿命的锂离子/聚合物电池供电设备

PW3230 典型应用电路

1、电路设计说明：

（1）充电器连接：充电器正极连接到VM引脚，负极连接到GND引脚

（2）电池连接：电池正极连接到VDD引脚，负极连接到GND引脚

（3）负载连接：负载连接在VM和GND之间

2、PW3230 引脚描述

引脚号	引脚名称	功能描述
1	VT	测试引脚
2	GND	接地端，连接电池负极
3	VDD	电源供应端，连接电池正极
4,5	VM	充电器负极连接端，内部FET开关将此端连接到GND

PW3230 绝对最大额定值

参数	符号	值	单位
VDD输入引脚电压	VINVDD	-0.3至6	V
VM输入引脚电压	VVM	-6至10	V
工作环境温度	Topr	-40至85	℃
最大结温	Tj	125	℃
存储温度	Tstg	-55至150	℃
引脚温度	TL	300	℃
功耗	PD	400	mW

PW3230 电气特性

(除非特别注明，典型值的测试条件为：TA=25℃)

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
过充检测电压	VCU	-	4.25	4.30	4.35	V
过充释放电压	VCL	-	4.05	4.10	4.15	V
过放检测电压	VDL	-	2.30	2.40	2.50	V
过放释放电压	VDR	-	2.90	3.00	3.10	V
充电器检测电压	VCHA	-	-0.12	-	-	V
过放电流1检测	IOV1	Vdd=3.6V	3.2	4.0	-	A
负载短路检测	ISHORT	Vdd=3.6V	12.5	-	-	A
正常工作电流	IOPE	Vdd=3.6V, VM=0V	-	2.80	-	μA
掉电模式电流	IPDN	Vdd=2V, VM浮动	-	1.50	2.2	μA
等效FET导通电阻	RDS	Vdd=3.6V, IvM=1A	-	45	-	mΩ
过温保护阈值	TSHD	-	+125	+140	-	℃
过温恢复温度	TSHD-	-	-100	-115	-	℃
过充电压检测延迟时间	TCU	VDD=3.6V∼4.4V	-	135	-	ms
过放电压检测延迟时间	TDLV	VDD=3.6V∼2.0V	-	28	35	ms
过放电流1检测延迟时间	TIOV1	VDD=3.6V	-	8.0	-	ms
负载短路检测延迟时间	TSHORT	VDD=3.6V	-	100	300	μs

PW3230 封装尺寸

封装形式：SOT23-5

符号	最小值	最大值	单位
A	1.050	1.250	mm
A1	0.000	0.100	mm
A2	1.050	1.150	mm
b	0.300	0.500	mm
C	0.100	0.200	mm
D	2.820	3.020	mm
E	1.500	1.700	mm
E1	2.650	2.950	mm
e	0.950 (BSC)	-	mm
e1	1.800	2.000	mm
L	0.300	0.600	mm
Θ	0°	8°	-