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GD32F303RET6微控制器基于Cortex-M4内核，支持快速DSP功能，最高主频可达120MHz，配备了高达3072KB的超大容量Flash及96KB的SRAM，内核访问闪存高速零等待。还拥有多达10个16位通用定时器、2个16位基本定时器和2个多通道DMA控制器。并为广泛的主流应用配备了多种基本外设资源。包括多达3个USART、2个UART、3个SPI、2个I2C、2个I2S、2个CAN2.0B和1个SDIO，以及外部总线扩展控制器(EXMC)。

核心参数
CPU‌：采用ARM Cortex-M4内核，最高主频120MHz，支持单精度浮点运算（FPU）和DSP指令集，适用于复杂算法处理。 ‌
‌存储器‌：内置512KB闪存和64KB SRAM（实际运行中SRAM容量可能超过64KB）。 ‌
‌封装‌：采用LQFP64封装（10×10mm），引脚间距0.5mm。
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工业级外设
‌通信接口‌：支持双CAN 2.0B（可构建冗余网络），全速USB Device（OTG），4个USART、3个SPI、2个I2C。 ‌
‌高精度模拟‌：3个12位ADC（5 MSPS采样率，支持双采样保持），2个12位DAC，适用于电机电流检测等场景。 ‌
‌电机控制‌：集成HRTIM高分辨率定时器（184 ps分辨率），支持10路互补PWM输出，硬件死区插入时间小于3ns。 ‌

扩展功能
安全加密‌：支持 AES-128 加密。 ‌
‌实时时钟‌：含独立RTC模块。 ‌
‌温度范围‌：工业级（-40℃~+85℃），扩展型可达-40℃~+105℃。

应用场景
GD32F303RET6微控制器适用于电机驱动（如无刷直流电机控制器）、工业自动化（变频器、伺服驱动）、数字电源及物联网等领域。 ‌

ISO3082DWR器件是一款200Kbps、半双工、2.5kVrms 隔离式 RS-485 和 RS-422 收发器，具有以下特性：
符合或超出 TIA/EIA RS-485 的要求
信号传输速率高达 20Mbps
1/8 单位负载，一条总线上多达 256 个节点
热关断保护
低总线电容 - 16pF（典型值）
50kV/µs 典型瞬态抗扰度
针对总线开路、短路及空闲状态的失效防护接收器
可耐受 5V 电压的 3.3V 输入
总线引脚 ESD 保护
总线引脚与 GND2 之间的 12kV HBM
总线引脚与 GND1 之间的 6kV HBM
由于接地环路断开，这类器件能够在大得多的共模电压范围内运行，非常适合于远距离传输线路。经测试，ISO3082DWR器件的对称隔离层可在总线收发器和逻辑电平接口之间按照 UL 1577 标准提供为时 60s 的 2500V RMS 隔离。

应用场景
ISO3082DWR隔离器广泛应用于安全系统、化工生产、工厂自动化、电机控制、建筑自动化网络等领域，尤其适合对电磁干扰敏感或需高可靠通信的工业场景。

LMG5200MOFR器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。
主要特点
集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
80V 连续电压，100V 脉冲电压额定值
封装经过优化，可实现简单的 PCB 布局，无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
超低共源电感可确保实现高压摆率开关，同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
非常适合隔离式和非隔离式 应用
栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
电源轨欠压锁定保护
优异的传播延迟（典型值为 29.5ns）和匹配（典型值为 2ns）
低功耗
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200MOFR能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。
应用领域
LMG5200MOFR适用于隔离式和非隔离式电源管理，如 DC/DC转换器 、 逆变器 等需要高效率、高可靠性的场景。

1ED020I12-F2是一款EiceDRIVER ™ 1200 V 栅极驱动器，具有典型的 2 A 拉电流和 2 A 灌电流。1ED020I12-F2采用 DSO-16 宽体封装，适用于 IGBT。所有逻辑引脚均兼容 5 V CMOS，可直接连接到微控制器。通过集成无芯变压器技术实现跨电流隔离的数据传输。

关键特性
单通道隔离栅极驱动器
适用于高达 1200 V 的 Si 和 SiC 开关
2 A 轨至轨典型值输出电流
精确的 DESAT 保护
有源米勒钳位
有源关断和短路钳位
28 V 绝对最大电压。输出电源电压
170/165 ns 典型值。传播延迟
12/11 V 输出 UVLO
≥ 100 kV/µs CMTI

目标应用
1ED020I12-F2栅极驱动器适用于交流/无刷直流电机驱动、高压DC/DC转换器、 UPS系统 及焊接设备等需要高可靠性隔离驱动的场景。

基于高性能的 ARM®Cortex-M7 32 位 RISC 内核的STM32F767BIT6微控制器的工作频率高达216MHz，其广泛应用于需要高速处理和复杂运算的工业控制、医疗设备等领域。STM32F767BIT6内置2MB闪存（分两组支持边读边写）、512KB SRAM（含128KB数据TCM RAM和16KB指令TCM RAM），支持外部 SDRAM 扩展。 ‌
参数
核心处理器：ARM® Cortex®-M7
内核规格：32-位
速度：216MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，UART/USART，USB OTG
外设：掉电检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 数：159
程序存储容量：2MB（2M x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：512K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 24x12b; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
器件封装：208-LQFP（28x28）

应用领域
STM32F767BIT6微控制器适用于工业自动化、医疗设备、智能仪表等需要高速运算和实时响应的场景。