N沟道MOS管AON7534，AON6312，AON6220的中文规格资料

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1、 30A  MOS管 场效应管 

型号：AON7534

规格资料

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1037pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），23W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-DFN（3x3）

封装/外壳：8-PowerVDFN

 

2、85A /30V 封装DFN-8  场效应MOS管

型号：AON6312

参数信息

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.85 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：65nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3100pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

 

3、48A / 100V 场效应MOS管 N沟道

型号：AON6220

规格信息

 

FET 类型：N 通道

 

技术：MOSFET（金属氧化物）

 

漏源电压（Vdss）：100V

 

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：48A（Tc）

 

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

 

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，10V

 

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA

 

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：95nC @ 10V

 

Vgs（最大值）：±20V

 

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4525pF @ 50V

 

FET 功能：-

 

功率耗散（最大值）：113.5W（Tc）

 

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

 

安装类型：表面贴装型

 

供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）

 

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

发布者：深圳市明佳达电子  了解更多产品可找我