IRF6613TR1PBF MOSFET 40V 150A 晶体管 /6MBP35VBA120-50

 N-CH 40V 23A DIRECTFET  IRF6613TR1PBF  MOSFET  40V 150A 晶体管

具体参数

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：63 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5950 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DIRECTFET™ MT
封装/外壳：DirectFET™ 等容 MT

 

IGBT功率模块 6MBP35VBA120-50  额定电流：35A    最大反向电压：1200V

上述产品信息仅供参考。

发布者：深圳市明佳达电子