初学 FSMC - 扩展外部SRAM(一)

1. SRAM控制原理

​ STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间，但当程序较大，内存和程序空间不足时，就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。 STM32F407系列芯片可以扩展外部SRAM用作内存 。

  • 型号为IS62WV51216的SRAM芯片外观 ：

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  • SRAM芯片的内部功能框架

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    ​ A0-A18有19位，寻址范围为219=28x1024=512K 。I/O0-I/O7控制低字节，I/O8-I/O15控制高字节，

    所以512*16刚好可以全部寻址，512行。19个地址位用于寻址，高低数据位用于传输数据

    类似与：

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  • SRAM信号线

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​ SRAM的控制比较简单， 只要控制信号线使能了访问， 从地址线输入要访问的地址， 即可从I/O数据线写入或读出数据。

  • SRAM的存储矩阵

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​ SRAM内部包含的存储阵列，可以把它理解成一张表格，数据就填在这张表格上。和表格查找一样，指定一个行地址和列地址，就可以精确地找到目标单元格，这是SRAM芯片寻址的基本原理。这样的每个单元格被称为存储单元，而这样的表则被称为存储矩阵。

​ 控制电路主要包含了片选、读写使能以及上面提到的宽度控制信号UB#和LB#。利用CS2或CS1#片选信号，可以把多个SRAM芯片组成一个大容量的内存条。OE#和WE#可以控制读写使能，防止误操作。

2. SRAM的读写流程

  • 对SRAM进行读数据时，它各个信号线的时序流程如下：

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  • 对SRAM进行写数据时，它各个信号线的时序流程如下：

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3. SRAM的读写流程

读写时序的流程很类似，过程如下：
(1) 主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址；

(2) 控制片选信号CS1#及CS2#使能存储器芯片；

(3) 若是要进行读操作，则控制读使能信号OE#表示要读数据，若进行写操作则控制写使能信号WE#表示要写数据；

(4) 使用掩码信号LB#与UB#指示要访问目标地址的高、低字节部分；

(5) 若是读取过程，存储器会通过数据线向主机输出目标数据，若是写入过程，主要使用数据线向存储器传输目标数据。

4. SRAM的读写时序参数

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posted @ 2024-03-26 16:54  L*K  阅读(33)  评论(0)  编辑  收藏  举报