随笔分类 - 嵌入式/ARM
摘要:在调试程序时,经常会用到assert和printf之类的函数,我最近做的这个工程里就有几百个assert,在你自认为程序已经没有bug的时候,就要除去这些调试代码,应为系统在正常运行时这些用于调试的信息是无用的,而且会占用时间和空间。怎么删除呢,俺以前都是用笨方法,一个一个注释,能用注释也是经过改进...
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摘要:原文地址:循环冗余校验(CRC)算法入门引导参考地址:https://en.wikipedia.org/wiki/Computation_of_cyclic_redundancy_checks#References给出了CRC 计算的详细信息。想要深入学习,可以从这个网址开始。尤其是最后给出的 Re...
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摘要:1. NOR FLASH 的简单介绍NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因...
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摘要:ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个...
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摘要:概述Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0...
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摘要:一、数据手册相关内容1.地址传输周期2.命令表3.在寄存器中,会涉及TACLS,TWRPH0,TWRPH1的设定这里我们就去看nandflash的数据手册在这里我们可以清楚的看到,TACLS=TCLS-TWP,TWRPH0=TWP,TWRPH1=TCLH,从下表可以查到时间,并根据主频转换成CPU周...
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摘要:K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash,常用于手持设备等消费电子产品。还是那句话,搞底层就得会看datasheet,我们就从它的datasheet看起。 这就是 K9F2G08U0A的内部结构,具体的各个部件的介绍,就不详细介绍了,想了解的话可以参考伟东山的《嵌入式...
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摘要:一、SDRAM(HY57V561620F)连线分析1、S3C2440有27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7,当访问bankx的地址空间,ngcsx引脚为低电平,选中外设。2^27=128MByte, 8*128Mbyte = 1Gbyte,...
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摘要:SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器)也就是通常所说的内存。内存的工作原理、控制时序、及相关控制器的配置方法一直是嵌入式系统学习、开发过程中的一个难点。我们从其硬件的角度来分析其原理,然后再引出SDRAM的驱动编写过程。内存...
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摘要:AMBA简介 随着深亚微米工艺技术日益成熟,集成电路芯片的规模越来越大。数字IC从基于时序驱动的设计方法,发展到基于IP复用的设计方法,并在SOC设计中得到了广泛应用。在基于IP复用的SoC设计中,片上总线设计是最关键的问题。为此,业界出现了很多片上总线标准。其中,由ARM公司推出的AMBA片上总...
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