2019年10月6日
数电基础 第三章
摘要： 数电基础 第三章 CMOS门电路 MOS管的开关特性 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 以N沟道增强型为例： 当加+VDS时，VGS=0时，D S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS ( 阅读全文
posted @ 2019-10-06 18:47 一条锦鲤啊 阅读(406) 评论(0) 推荐(0)