[转]三星系列NandFlash SLC and MLC

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SLC and MLC的区别：

1.K9F系列的是SLC结构的NANDFLASH
2.K9G系列的是MCL结构的NANDFLASH

3.三星 Samsung SLC 32Gb K9N 
  三星 Samsung SLC 16Gb K9W 
  三星 Samsung MLC 16Gb K9L 
  三星 Samsung MLC 16Gb K9H 
  三星 Samsung SLC 8Gb K9K 
  三星 Samsung MLC 8Gb K9L 
  三星 Samsung MLC 8Gb K9G 
  三星 Samsung SLC 4Gb K9F 
  三星 Samsung SLC 2Gb K9F 
  三星 Samsung SLC 1Gb K9F 
  三星 Samsung SLC 512Mb K9F
  三星 Samsung SLC 256Mb K9F e6sp用的是k9k8g 为slc

 

首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重。

其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟。

第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。

第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。

第五是制造成本。MLC技术原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。