2017年3月30日
第三代半导体材料（摘录中国数字科技馆）
摘要： 以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石，氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料成为第三代半导体材料。和第一代与第二代半导体材料相比，第三代半导体具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率以及更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通 阅读全文
posted @ 2017-03-30 10:54 蓝彻 阅读(368) 评论(0) 推荐(0)