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摘要： 1.先来理解下什么是滞后曲线(hysteresis curve), 滞后曲线（hysteresis curve）是指在周期性加载下，系统的应变与应变率之间的关系曲线。当外力作用于系统时，系统会产生应变，而当外力去除后，系统的应变并不会立即恢复到初始状态，而是在一定范围内变化，形成一个闭合的曲线。这个 阅读全文

摘要： MOS 管子工作流程的基本原理介绍 阅读全文

摘要： 1. 什么是NVM？NVM: Non-Volatile Memory，非易失性存储器NVM 的特点是存储的数据不会因为电源关闭而消失，像 Mask ROM、PROM、EPROM、EEPROM、NAND / NOR 闪存 (Flash Memory) 等传统 NVM，以及，目前许多正在研发的新型态存储 阅读全文

摘要： Section Ⅰ 半导体技术发展史的本质就是晶体管尺寸的缩小史。从上世纪七十年代的10微米节点开始，遵循着摩尔定律一步一步走到了今天的5纳米。在这一过程中，每当摩尔定律遭遇困境，总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。自22纳米节点上被英特尔首次采用，鳍式场效应晶体管（FinFET）在过去 阅读全文

摘要： 3D Nand基本原理-你想知道的全在这里（上） 部分标点符号无法显示，可参考原网页 3D Nand基本原理-你想知道的全在这里（上） - 知乎 (zhihu.com) 3D Nand基本原理-你想知道的全在这里（下） - 知乎 (zhihu.com) 0. 引言： 最近想要从原理上了解3D Nan 阅读全文

摘要： 科普：芯片行业所说的IP是个什么东西？ 前言：在芯片行业，人们经常用到IP这个词，例如IP开发、IP交易、IP复用、IP厂商、IP提供商等。行外人对此词可能觉得不明觉厉，不知所云。他们也许以为是说IP卡，也或者以为是互联网技术中所说的IP地址，其实都不是。本文就专门科普一下，说说芯片行业中IP到底是 阅读全文

摘要： EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory）即电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失（不挥发）存储芯片。 EERPOM的基本结构有几种，这里讲解比较常用的FLOTOX管结构，如下图所示： FLOTOX（Floating 阅读全文

摘要： EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：1.EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。 上文：EEPROM和EPROM存储器详解中介绍了EEPROM,EPROM，我们知道了： EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate tr 阅读全文

摘要： SRAM六管结构的工作原理 注：其实CMOS静态反相器等价于一个非门！SRAM cell 6T等价于SR锁存器（也就是RS触发器） 6T：指的是由六个晶体管组成，如图中的M1、M2、M3、M4、M5、M6. SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管（M1, M2, M3, M4）构成两个交叉耦合的 阅读全文

摘要： 在电路中经常能看到电容的应用，本文从源头开始解释信号波的组成以及引入电容的作用；电容的不同接法，往往也扮演着不同的角色。 阅读全文