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内存可以根据储存能力与电源的关系可以分为以下两类:

易失性存储器(Volatile memory)指的是当电源供应中断后,存储器所储存的资料便会消失的存储器。主要有以下的类型:

  • RAM(Random access memory,随机访问存储器)
    • DRAM(Dynamic random access memory,动态随机访问存储器)
    • SRAM(Static random access memory,静态随机访问存储器)

非易失性存储器(Non-volatile memory)是指即使电源供应中断,存储器所储存的资料并不会消失,重新供电后,就能够读取内存资料的存储器。主要有以下的类型:

  • ROM(Read-only memory,只读存储器)
    • PROM(Programmable read-only memory,可编程只读存储器)
    • EPROM(Erasable programmable read only memory,可擦可编程只读存储器)
    • EEPROM (Electrically erasable programmable read only memory,可电擦可编程只读存储器)
  • Flash memory(快闪存储器)

按内存条的接口形式,常见内存条有两种:

单列直插内存条(SIMM)和 双列直插内存条(DIMM)

按内存的工作方式:

  • FPA EDO DRAM-------FPM(FAST PAGE MODE)RAM
  • EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
  • SDRAM(同步动态RAM)-----S(SYSNECRONOUS)DRAM
  • DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM

内存条性能评价指标:

  • 存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量,如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。
  • 存取速度:即两次独立的存取操作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
  • 存储器的可靠性:存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
  • 性能价格比:性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容,性能价格比是一个综合性指标,对于不同的存储器有不同的要求。

SDR和DDR1/2/3全系列内存对照表:

single-sided和double-sided、single-rank和double-rank

如果1根ECC DIMM的9颗芯片都位于DIMM的同一面,就叫做single-sided(单面)。如果9颗芯片分布在DIMM的两面,就叫做double-sided(双面)。作为对single-sided和double-sided的补充,DIMM还被分为single-rank和double-rank(也就是我们在内存的lable上经常能看到的1R,2R)。

2R*8----R是rank,8是内存颗粒位宽;当颗粒位宽×颗粒数=64bits时,这个模组就是有一个RANK。

References

http://www.360doc.com/content/11/0607/10/939554_122177662.shtml   内存频率介绍

http://wenku.baidu.com/view/5b55a47302768e9951e7385c.html single-sided/double-sided/single-rank/double-rank

http://diybbs.zol.com.cn/7/315_67201.html rank数的计算

http://www.zkvod.com/Jsjc/ShowArticle.asp?ArticleID=11 内存 bank 和rank 区别 

 

 

posted on 2012-05-18 11:13  KoreaSeal  阅读(30176)  评论(1编辑  收藏  举报