器件规格书爬坑

摘要： 图解1：Vds电压一定，开启电压越高，通过的电流越大 图解2：Vds，Vgs电压一定，温度越低，过电流越大。 图解3：Id电流一定，Vgs开启电压越高内阻越低。 图解4：温度一定，开启电压越高，导通内阻越大。 图解5：开启电压一定，温度越高，内阻越大。 图解6： 图解7： 图解8： 图解9： 图解1 阅读全文

摘要： MOSFET规格书参数详解（参考AOD444） * 说明：MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件：在Vgs=0V，栅极和源极不给电压。 影响：超过的话会让MOSFET损坏。 说明：ID的漏电流。 测试条件：在Vgs=0V，在漏极和源极两端给48V的电压。 影响：漏电流越大功耗越大。 说明：栅极漏电 阅读全文