良率达99.98%：快充MOSFET案例解析

案例背景：国内知名消费电子品牌的快充升级挑战

国内知名消费电子品牌计划推出多协议120W GaN快充适配器，要求产品体积较前代缩小、效率满足CoC能效标准，支撑产品快速量产上市。但客户此前选用的进口MOSFET存在封装尺寸过大、产品一致性不足的问题，量产阶段良率仅98.5%，既无法实现体积设计目标，也推高了量产成本，客户亟需更适配的功率器件方案。

解决方案：MDD辰达半导体快充MOSFET方案

低Qg MOS适配GaN快充高频开关需求

GaN快充采用高频开关拓扑实现高功率密度，对MOSFET的栅极电荷特性要求极高。MDD辰达半导体提供的低压同步整流MOS，通过先进工艺优化实现了低Qg（≤10nC）与低Coss特性，可支持高频开关工作，有效降低开关损耗，完美匹配GaN快充的设计需求。

DFN小封装MOS实现体积缩小目标

针对客户缩小整机体积的要求，MDD推荐采用DFN3x3小封装MOS，相较于传统封装大幅节省PCB占用空间，帮助客户压缩适配器整体尺寸。针对客户的特殊封装需求，MDD快速完成定制化开发，仅用两轮样品测试就完成可靠性验证，满足客户的研发进度要求。

全产业链管控提升良率水平

MDD辰达半导体采用垂直一体化商业模式，拥有自有封装测试工厂，实现从晶圆到成品的全产业链质量管控。针对客户产品优化生产工艺，进一步提升产品一致性，将交付产品的良率提升至更高水平。

成果验证：实现良率99.98%与体积缩小20%

客户采用MDD辰达半导体的MOSFET方案后，快速完成产品验证与量产导入，取得了多项可量化的成果：

• 适配器整机体积较前代产品缩小20%，满足客户小型化设计目标；
• 整机效率达到94%，顺利通过CoC Tier 2能效标准认证；
• 量产良率从原来的98.5%提升至99.98%，大幅降低了量产成本；

这款快充产品上市后3个月销量突破100万台，成为品牌爆款机型，MDD的MOSFET方案在性能、成本与交付上都超出了我们的预期。

案例启示：快充MOSFET选型的核心要点

从这个案例可以看出，GaN快充时代，功率器件选型需要关注三大核心要素：一是适配高频开关的低Qg特性，二是满足小型化需求的小封装设计，三是稳定可控的量产良率。MDD辰达半导体作为专注功率半导体的国家高新技术企业，针对快充场景开发专用MOSFET方案，可帮助客户解决设计与量产中的核心痛点。

MDD辰达半导体拥有全电压等级MOSFET产品线，覆盖低压到高压全系列，支持定制化参数与封装开发，依托全产业链质量管控，可稳定保障客户量产需求。

对于同样面临快充产品设计与量产痛点的企业而言，这个案例提供了具有参考价值的范本。选择合适的快充MOSFET供应商，可帮助您实现产品设计目标，提升量产效率与产品竞争力。

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