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  • 1、IC 电源引脚边的0.1μf电容
  • 2、MOS管为什么有时候需要栅极驱动芯片？

1、IC 电源引脚边的0.1μf电容

• 为什么是0.1μf：
  • 对于电容来说，容抗与频率成反比，理论情况下来说，随着频率增大，容抗减小，对高频的滤除效果会比较好；
  • 但是实际电容是包含寄生电感的，感抗与频率成反比，因此随着频率的增大，对高频分量通过的阻碍能力会增加；
  • 因此整体来说，IC供电引脚旁的电容，随着噪声频率的增大，滤波效果会呈现先增大，后减小；同时与更大容值的电容相比，实验效果验证其滤波效果最好的频率会更大，而再此后更大频率阶段，0.1μf电容的滤波效果也会更好一点；
  • 当然，同时用大小两个电容并联来滤波也是可以的；
• 此处电容的作用是什么？退耦：
  • 一般对于电源芯片来说，其输出引脚处本身也是布置了电容来滤波的，理想情况下，电源已经比较干净了；
  • 但是一个电源供出去以后，可能会接到多个IC上，不同的IC在不同工作模式、工作阶段下，其需要的电流又是不同的，，而线路上同时会存在寄生电阻和寄生电感，因此从电源芯片输出的原本很干净的电压，也会随着电流的波动产生高频扰动，不同的IC之间会因为连接到相同的网络上产生耦合，彼此干扰，因此此处的电容就是针对这种扰动来解除互相的耦合、提升自身电源的稳定性，因此该电容称为退耦电容或解耦电容；

2、MOS管为什么有时候需要栅极驱动芯片？

• 最主要的原因是栅源极之间存在寄生电容 C_GS，当栅极施加电压时，会先给电容充电，这个电容越大，充电就越慢，因此处于半打开状态的时间变长，此时电阻比较大，发热严重；
  • 而对于高速 PWM 波控制的场景，C_GS 的影响下，上升沿本身就变长，严重的甚至可能高电平达不到预想的开启电压值，造成 MOS 长时间无法打开，R_DS 值比较大，产生发热，可能导致MOS烧毁；
• 可以想到的思路是选取 C_GS 小一点的 MOS，但一般 C_GS 降低会伴随着 R_DS 增大 =》 很明显，R_DS_ON 越大的 MOS，能够支持的设备功率就越小；
• 因此对于大功率 MOS 管来说，并不是不能用单片机直接打开，而是 C_GS 比较大，单片机无法快速打开，可能出现发热严重甚至烧毁的情况；
• 栅极驱动芯片的逻辑：内部又很强的推挽电路，供给栅极很大的电流，让栅极电压快速爬升；