半导体器件建模仿真-Schrodinger-Poisson耦合
在传统漂移-扩散或流体力学模型中,载流子浓度由经典的玻尔兹曼统计或费米-狄拉克统计直接给出。然而,当器件的特征尺寸与载流子的德布罗意波长可比拟时,载流子的波动性(量子效应)变得显著。此时,载流子被限制在势阱中,形成离散的能级(子带),其分布必须通过求解薛定谔方程获得。
薛定谔方程需要知道静电势 V(x) 以确定势能剖面;而静电势又通过泊松方程依赖于载流子浓度 n(x)。两者相互耦合,必须通过自洽迭代求解。
Poisson 方程
泊松方程描述了静电势与空间电荷密度之间的关系。
在一维情况下(例如垂直方向),可简化为:
Schrödinger方程(有效质量近似)
在导带底附近,通常采用有效质量近似来描述电子状态。考虑一维量子限制(如x方向),在有效质量近似下的本征值方程为:
其中, \(\hbar\) 是约化普朗克常数。$ m^*(x)$ 是位置相关的有效质量(考虑不同材料)。\(\psi_i(x)\) 和 \(E_i\) 是第 \(i\) 个束缚态的波函数和本征能级。\(V_{eff}(x)\) 是电子的有效势能。
量子载流子浓度
电子浓度 \(n(x)\) 不再由经典的 \(N_c F_{1/2}(\cdots)\) 给出,而是由所有占据态的概率密度加权求和得到:
其中,对第 \(i\) 个子带的面密度 $ N_i$ 由费米-狄拉克分布决定:
或者更一般地(对于2D平面情况):
在实际的一维量子限制仿真中,\(N_i\) 通常正比于 \(\ln(1+\exp((E_F-E_i)/k_B T))\)。
势能
薛定谔方程中的有效势能 \(V_{eff}(x)\)通常包括:静电势能:\(-qV(x)\)(电子带负电,电势越低对电子势能越低), 导带边偏移 \(\Delta E_c(x)\) (异质结界面处).因此:
自洽迭代流程
- 初始猜测:
- 给定一个初始的静电势分布 ( V^{(0)}(x) )。通常可以从经典解(解耦泊松方程,忽略量子效应)或简单的线性势开始。
- 进入迭代循环 \((k = 0, 1, 2, ...)\):
-
步骤 A: 求解薛定谔方程
- 利用当前的势 \(V^{(k)}(x)\) 构造 \(V_{eff}^{(k)}(x)\)。
- 在给定的计算区域和边界条件下(通常波函数在边界衰减为0),求解薛定谔本征值问题。
- 得到一组本征能级 \(E_i^{(k)}\) 和对应的波函数\(\psi_i^{(k)}(x)\)(通常只取前若干个束缚态)。
-
步骤 B: 计算量子载流子浓度
- 给定费米能级\(E_F\) (由器件边界条件或总体电荷中性决定)。
- 利用公式计算量子载流子浓度 \(n_{QM}^{(k)}(x) = \sum_i N_i^{(k)} |\psi_i^{(k)}(x)|^2\)。
-
步骤 C: 求解泊松方程
- 将计算得到的 \(n_{QM}^{(k)}(x)\) 作为电子浓度源项,代入泊松方程。
- 求解泊松方程,得到一个新的静电势分布 \(V_{new}(x)\)。
-
步骤 D: 检查收敛性与更新势
- 收敛判断:计算前后两次迭代势能的最大绝对误差或均方根误差:$\max |V_{new}(x) - V^{(k)}(x)| < \delta $$(\delta$ 为预设容差,如 \(10^{-4} \text{ V}\))。若满足,则跳出循环,得到自洽解。
- 势的更新:若不收敛,需要将新解与旧解混合,以稳定迭代过程:
其中, \(\beta\) ( \(0 < \beta \leq 1\) ) 是一个阻尼因子。对于强量子限制问题,\(\beta\) 可能需要取得较小(如0.1-0.3)来抑制振荡,促进收敛。
* 令 \(k = k+1\),返回步骤 A。
- 输出结果:
- 迭代收敛后,最终的自洽解包括:静电势 \(V(x)\)、量子载流子浓度 \(n_{QM}(x)\)、子带能级 \(E_i\) 和波函数 \(\psi_i(x)\)。

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