存储器

存储器

主存

随机存储器

SRAM

静态RAM（Static RAM）。用触发器原理存储信息，因此即使信息读出后，它仍保持其原状态，不需要再生。但电源掉电后，原存信息丢失，故它属于易失性半导体存储器。

DRAM

动态RAM（Dynamic RAM）。靠电容存储电荷的原理来寄存信息。电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对齐所有存储单元回复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。

只读存储器

概念：工作过程中仅能读取的存储器，根据数据的写入方式，这种存储器又可细分为ROM、PROM、EPROM、EEPROM。

ROM

固定只读存储器（Read Only Memory）。这种存储器实在厂家生产时就写好数据的，其内容只能读出，不能改变。一般用于存放系统程序BIOS和用于微程序控制。

PROM

可编程的只读存储器（Programmable Read Only Memory）。其中的内容可以由用户一次性地写入，写入后不能再修改。

EPROM

可擦除可编程得只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory）。其中得内容既可以读出，也可以由用户写入，写入后还可以修改。改写的方法时写入之前先用紫外线照射15-20分钟以擦去所有信息，然后再用特殊的电子设备写入信息。

EEPROM

电擦除可编程的只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）。与EPROM类似，EEPROM中的内容既可以读出，也可以进行改写。只不过这种存储器是电擦除的方法进行数据的改写。

闪速存储器

简称闪存（Flash Memory）。闪存的特性介于EPROM和EEPROM之间，类似于EEPROM，也可以使用电信号进行信息的擦除操作。整块闪存可以在数秒内删除，速度快于EPROM。

辅存

磁盘

磁带

光盘

缓存（Cache）