STM32F103 内部FLASH

STM32F103 内部FLASH

stm32f10x_flash.h

对内部Flash的写入过程：

1. 解锁 （固定的KEY值）

• 1. 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123

• 1. 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB

1. 擦除扇区

在写入新的数据前，需要先擦除存储区域， STM32 提供了扇区擦除指令和整个FLASH 擦除(批量擦除)的指令，批量擦除指令仅针对主存储区。

扇区擦除的过程如下：

1. 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何 Flash 操作；

1. 在 FLASH_CR 寄存器中，将“激活扇区擦除寄存器位 SER ”置 1，并设置“扇 区编号寄存器位 SNB”，选择要擦除的扇区；

1. 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除；

1. 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。

1. 写入数据

• 1. 擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还还需要配置一系列的寄存器，步骤如下：

• 1. 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的内部 Flash 操作；

• 1. 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位 PG” 置 1；

• 1. 针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作；

• 1. 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。

code

1. FLASH_Unlock(); //解锁写保护

1. FLASH_ErasePage(sectorStartAddress);//擦除这个扇区

1. for(dataIndex=0;dataIndex<countToWrite;dataIndex++)

1. {

1. FLASH_ProgramHalfWord(startAddress+dataIndex*2,writeData[dataIndex]);

1. }