CH585 实现的屏幕直驱

Flash_SPI原理及操作手册

原理:

 

l MCU与spi flash和OLED两个外设通信，两个外设共用data线及SCLK线，通过两个片选信号实现分时访问，实现指令和数据的发送，使得oled显示屏通过DMA方式读取并显示spi flash中内容

硬件：

	OLED	FLASH	MCU
OLED片选	CS		PB12
数据/命令选择	DC		PB18
复位	RES		PB23
数据	D1	SO
时钟	D0	SCLK	PA13
flash数据输入		SI	PA14
Flash片选		CS	PA12

 

软件：

主要参数设置：

系统主频	78MHz
SPI时钟频率	(78/8)MHz
oled时钟分频	5
oled振荡器频率	1000
oled复用率	64
oled显示偏移	0
oled 电荷泵	使能
oled 寻址方式	页寻址
oled SEG重映射方式	正常
oled COM扫描方式	上下反置
oled 对比度	239

 

Main:

OLED_Init() :

l OLED_SPI初始化

l OLED初始化：

n 关闭显示

n 设置时钟频率、偏移、内存寻址方式等

n 开启显示

OLED_FILL(x1, x2, y1, y2, s) : 控制OLED(x1,y1)至(x2,y2)对角线的长方形上的像素亮灭

l OLED_DrawPoint(x,y,s) : 限制屏幕像素小于128*64；三个临时变量pos,page,temp，将屏幕所有行分为8个page，每个page包含(所有行/8=8)，7-y实现page的反转，pos为像素点在page内的偏移，temp实现对应位置1，将oled数据缓存至OLED_GRAM二维数组中置1或置0，实现点亮或熄灭像素点

W25Q_Init() : flash初始化

W25Q_EraseAll():对flash内容全部擦除

OLED_ShowString():将字符串单个字符取出并利用OLED_ShowChar()函数显示

l 此函数会调用OLED_DrawPoint(x,y,s)来更新OLED_GRAM内容

W25Q_MemWrite(addr, len, buf):将OLED_GRAM数据存入flash中

l addr:起始页地址，必须地址对齐，为256整数倍

l len:要写入的数据的字节数

l buf:要写入的数据所在的缓冲区地址

l 返回值:此次写入占用页的数量

l 该函数的使用需保证写入的flash已擦除

Main_Circulation() : 利用DMA方式实现从falsh中读取缓存数据显示到oled上

l W25Q_DMAMemRead(addr, len, buf)：首先等待写操作完成（wait 20ms）; 拉低片选，开始通信，发送读命令，发送24位地址，MOSI失能，片选拉低，启动DMA接受buf数据，拉高片选，释放flash，失能MOSI