电容

• 电容电介质温度特性：X7R 材质精度在 中上 C0G(美国) = NP0（日本） X5R一般 Y5V 差
  
• 电容两端的电压不能突变
  
• 电容上的电压滞后它的电流滞后90度
  
• 电容充电 充满 90%以后，后面再充电就会很慢，放电放到剩下10%以后放电会变慢
  
• 电容通电瞬间是短路的
  
• 并联：增大电容
  
• 芯片 旁边的10 - 100nF 退偶电容：
  
  • 当里面需要用电的时候，当需要用电的时候如果从远处取电会导致轨道塌陷，线上会产生电感阻碍电流过来
    
  • 提升PI(电源完整性)---芯片的性能
    
• 差分线上串联10nF 的小电容： 耦合 通过有用的高度信号
  
• 发上加电容 ：抑制EMI 耦合 通过有用的高度信号
  
• 通交隔直
  
• 通高频阻低频，专治突变
  
• 电容选型：
  
  • t = RC >= （3-5）倍的周期， R是负载的等效电阻