三极管

• NPN：
  
  • N发射区e：掺杂浓度很高，有大量的电荷便于发射
    
  • P基区b： 很薄且杂质浓度很低
    
  • N集电区c：杂质少，面积很大，便于收集发射区送来的电荷
    
• 发射区流向集电区的电荷要经过基区，基区可以控制发射区流向集电区电荷的数量，基区就像设在发射区与集电区之间的关卡
  
• 放大条件：
  
  • 发射极正向偏置，集电极反向偏执