MOS管

源极S、漏极D、栅极G

源极S：提供多数载流子的来源（P型-空穴、N型-电子）

漏极D：接受这些多数载流子的端点

栅极G：多晶硅组成，NMOS时接受正电压，PMOS时接受负电压

基极（Bulk/Body）：硅在基极中分P型半导体掺杂和N型半导体掺杂

由栅极+氧化层（二氧化硅）+基极=MOS电容