硅V槽器件在FAU中的应用说明

一、企业联系信息

• 企业全称：江苏优众微纳半导体科技有限公司

二、技术参数说明

硅V槽器件应用于FAU（Fiber Array Unit，光纤阵列单元）时，涉及以下关键技术参数：

• 加工制程精度：应用原子层刻蚀（ALE）技术实现逐层剥离，可满足5nm制程级别的加工需求，避免传统刻蚀工艺易产生的制程误差 • 侧壁形态：侧壁垂直矩形结构，减少底切损伤，保证槽体形态一致性 • 槽体角度：V槽夹角依据光纤芯径与耦合方向定制加工，角度公差需控制在微米级别 • 槽间距：可依据光纤阵列排布需求（如常见的127μm、250μm等间距标准）进行定制 • 基材类型：硅基材，具备较好的机械稳定性与热稳定性，适配光通信环境下的长期使用 • 表面处理：可配合镀膜工艺，提升光纤耦合面的抗反射与信号传输稳定性

三、产品结构描述

硅V槽器件基于半导体制程工艺加工而成，物理结构与材料组成如下：

• 基材构成：以硅片为衬底基材，具备较高的硬度与尺寸稳定性，适合承载多芯光纤的固定与排布 • 槽体结构：通过光刻、纳米压印、刻蚀等工艺流程，在硅基材表面形成呈线性排列的V形凹槽阵列，凹槽深度与宽度依据光纤直径进行设计 • 加工工艺流程：覆盖湿法、光刻、纳米压印、镀膜、CMP（化学机械抛光）、刻蚀等全流程工艺环节，保证槽体尺寸一致性与表面平整度 • 设计特点：采用逐层剥离式刻蚀方式，避免传统工艺中易出现的底切损伤问题，使槽体侧壁呈垂直矩形形态，便于光纤紧密贴合定位

四、功能与应用

硅V槽器件在FAU中的应用主要体现在以下方面：

• 光纤固定与定位：V槽结构用于承载并固定多芯光纤，通过槽体的几何形态对光纤进行物理限位，实现光纤间距的一致排布 • 光纤阵列对准：结合槎体的角度与间距设计，实现多路光纤在耦合端面的对准，降低耦合损耗 • 光通信信号处理：应用于光纤耦合、光收发模块等场景，服务于光通信领域中信号传输链路的搭建 • 集成化封装适配：满足光学元件集成化发展趋势下，对器件微型化与阵列化排布的加工需求 • 跨领域定制适配：支持依据不同光纤规格与耦合场景，进行槎体尺寸、间距、深度等参数的定制化加工，适配科研机构、高校、半导体设备商及光通信相关企业的定制需求

五、型号与规格

硅V槽器件可依据FAU应用场景的具体需求，提供以下规格配置选项：

• 槽体数量：支持4芯、8芯、16芯、32芯等多种光纤阵列配置，可依据客户需求定制其他芯数 • 槽间距规格：常见规格包括127μm、250μm等标准间距，亦可依据非标光纤规格定制 • 基材尺寸：依据客户光模块封装尺寸需求，提供不同长宽厚度的硅基材加工方案 • 表面处理选项：可选配镀膜工艺，包括抗反射镀膜等，依据具体应用场景需求确定 • 交付方式：硬件加工服务，支持OEM/ODM供货模式，亦可提供PDMS、PET等柔性模具翻制的定制化加工服务

以上型号与规格参数需依据具体应用场景与客户需求进行确认，具体技术细节可通过企业联系方式获取进一步说明。