mos晶体管原理

视频链接

N型半导体 5价   磷     多子是电子

P                3      硼     多子是空穴

Nmos 源级 电子移动到 漏级，电流漏级到源级

线性区、非饱和区、饱和区

非饱和区、饱和区、截至区  I-V特性

增强型（主流）、耗尽型

符号 

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 CMOS视频链接

 

 结构

四业分离---工艺与设计接口

工艺线选择（性能、成本）

几何设计规则

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模型参数和寄生参数（无处不在）

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cmos加工工艺和工艺简化流程