博客首篇章

从上学到工作三年，看了不少书籍，学到不少知识，但是很少有记录的习惯。回头想过，大部分的知识又得重新拾起。因为个人经常浏览CSDN，eetop，博客园等一些帖子，个人觉得博客园的帖子更符合个人的喜好，就果断申请了博客园的账号。此博客主要更新编程和存储相关的知识，作为新手，是边学习边更新。DRAM作为存储阵营的核心（和3D NAND），C++作为稳居编程榜TOP5的霸榜语言.所以此博客主要更新DRAM和C++自学的一些知识点。

NAND存储器随着存储行业对大容量的需求，简单的2D由于process的限制，已达不到大容量领域的应用需求，所以3D架构应用而生，代表的有Intel+Micron的3D X-point，和YMTC的3D-Xtacked，以及东芝的BiCS架构和三星的V-NAND架构。线路主要有charge-trap（三星，东芝等）和floating gate(Intel and Micron)两种阵营。据说floating gate阵营要出叛徒，要移情别恋到charge-trap了（哈哈哈~~~kiddiing）。DRAM因对容量需求不是辣么大，对speed需求高，所以DRAM目前还没有转入3D的行列，但是research一直都在，万一哪天被时代的激流拍死的不好了。DRAM与NAND的不同在于DRAM是掉电丢context的memory，因为其内部存储单元是1T1C（一个transistor+一个capacitor），存信息主要通过电容。那电容嘛，肯定会漏电啦，就需要不定时的重新充电保证电容信息不变，行业里面的这种操作为动态刷新（refresh，又分auto refresh：CBR refresh，command refresh吧啦吧啦）。当然还有在异常处理机制上也不同，DRAM基本上在CP端通过redundency row and column来修复error bit的，在component level是眼里揉不进沙子的，不允许1bit error出现。而NAND则不同，允许error bit的出现，后期在application端通过ECC engine（又分软硬件decode修复）修复。当然事无定型，存储嘛都是人发明的，人类才是上帝，你要想DRAM可在application容错也可，在电路内加hardware ECC engine呗，但是实现起来比NAND复杂的多，别忘了DRAM有write mask function。

编程，哈哈哈，想学主要是在工作中遇到个美国大佬学的代码，各种新特性，看的人五脸懵逼。。。所以就学一下。。。

 

好了，今天20200301是博客首篇，就简单帕拉几句。。。如有表述不当或错误，纯属个人愚知，欢迎大佬们指教。

 

以上纯属个人观点，不喜勿喷，鄙人诚心求教。。。