摘要: 编辑:ll ASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT 型号:FGH60N60SMD 品牌:ON/安森美 封装:TO-247 最大漏源电流:60A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:mΩ 引脚数量:3 特性:IGBT二极管 芯片个数: 沟道类型: 漏电 阅读全文
posted @ 2023-02-17 13:21 ASEMI首芯 阅读(62) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60 型号:ASE20N60 品牌:ASEMI 封装:ITO-247 最大漏源电流:20A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.42Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5 阅读全文
posted @ 2023-02-17 11:52 ASEMI首芯 阅读(551) 评论(0) 推荐(0)