ASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT

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ASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT

型号：FGH60N60SMD

品牌：ON/安森美

封装：TO-247

最大漏源电流：60A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：mΩ

引脚数量：3

特性：IGBT二极管

芯片个数：

沟道类型：

漏电流：ua

特性：IGBT、二极管

工作温度：-55℃~175℃

备受欢迎的FGH60N60SMD二极管

  安森美品牌FGH60N60SMD是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了FGH60N60SMD的最大漏源电流60A，漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

FGH60N60SMD,艾赛斯品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

FGH60N60SMD具体参数为：最大漏源电流：60A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247