摘要：
编辑：ll ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10 型号：ASE60N10 品牌：ASEMI 封装：TO-263 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：17Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N 阅读全文
posted @ 2023-02-14 10:46
ASEMI首芯
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摘要：
编辑：ll ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10 型号：ASE12N65SE 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AB 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 阅读全文
posted @ 2023-02-14 10:27
ASEMI首芯
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