ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10

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ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10

型号：ASE60N10

品牌：ASEMI

封装：TO-263

最大漏源电流：60A

漏源击穿电压：100V

RDS（ON）Max：17Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~175℃

备受欢迎的ASE60N10 MOS管

  ASEMI品牌ASE60N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE60N10的最大漏源电流60A，漏源击穿电压100V.

•细节体现差距

ASE60N10,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

ASE60N10具体参数为：最大漏源电流：60A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-263