2021年12月20日
25N120-ASEMI低功耗高效率MOSFET
摘要： 编辑：ll 25N120-ASEMI低功耗高效率MOSFET 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：25A 电压：1200V 引脚数量：3 芯片个数：1 漏电流： 特性：低功耗场效应 工作温度：-55~+150℃ 使用优势 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在 阅读全文
posted @ 2021-12-20 11:38 ASEMI首芯 阅读(86) 评论(0) 推荐(0)
20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V
摘要： 编辑：ll 20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V 型号：20N20 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：20A 反向耐压：200V 引脚数量：3 芯片个数：1 漏电流： 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55℃~+150℃ MOS场效应管 即 阅读全文
posted @ 2021-12-20 11:22 ASEMI首芯 阅读(145) 评论(0) 推荐(0)